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      標簽　>　第三代半導體

      第三代半導體

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      第三代半導體主要是材料的變化。半導體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發展經歷了三個階段。

      文章：120個 瀏覽：6986次 帖子：2個

      第三代半導體技術

      第三代半導體和半導體區別

      半導體是指導電性能介于導體和絕緣體之間的材料，具有獨特的電學性質，是電子工業中不可或缺的基礎材料。隨著科技的進步和產業的發展，半導體材料經歷了從第一代到...

      2024-10-17 標簽：半導體電子元件絕緣體 1121 0

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      2024-10-12 標簽：氮化鎵英諾賽科第三代半導體 572 0

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      2024-02-29 標簽：功率器件SiC碳化硅 1655 0

      ?第三代半導體之碳化硅行業分析報告

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      2023-12-21 標簽：晶體管功率器件氮化鎵 3250 0

      淺談第三代半導體的氮化鎵性能優勢

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      2023-11-17 標簽：MOSFETIGBT氮化鎵 700 0

      ST 基于STM32G474RBT6 MCU的數字控制3KW通信電源方案

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      STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數字電源解決方案。 電路設計包括前端無橋圖...

      2023-05-25 標簽：ST數字電源全橋LLC諧振 2715 0

      基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標準的參考電源設計

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      專門設計來控制ZVS非互補有源的鉗式反激(ACF)轉換器，以創建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。

      2023-04-04 標簽：意法半導體GaN快充 891 0

      基于ST VIPERGAN65 的65W PD 快充方案

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      ST推出內置氮化鎵MOS的緊湊型控制芯片VIPERGAN65，尺寸為5*6mm，支持PD快充和緊湊型電源，提供OVP、OTP、OLP、Brown-in、...

      2023-03-22 標簽：ST氮化鎵快充 1501 0

      什么是第三代半導體技術 碳化硅的產業結構分析

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      第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。因此第三代半導體研究主要是集中在...

      2023-08-11 標簽：氮化鎵砷化鎵碳化硅 1169 0

      新能源電驅系統關鍵技術及發展趨勢

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      第三代半導體材料可以滿足現代社會對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等新要求，且體積小、污染少、運行損耗，正逐步成為發展的重心。

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      2023-04-25 標簽：ASIC芯片碳化硅第三代半導體 2029 0

      第一、二、三代半導體什么區別？

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      碳化硅襯底市場群雄逐鹿 碳化硅襯底制備環節流程

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      2023-03-23 標簽：晶體碳化硅第三代半導體 1792 0

      什么是氮化鎵技術指標體系分解

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      小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術指標？什么是氮化鎵技術指標體系？ 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...

      2023-02-16 標簽：SiC氮化鎵GaN 2044 0

      第三半導體是什么？第三代半導體和半導體的區別

      　第三代半導體是一種新型的半導體材料，它可以提供更高的功率密度、更低的功耗和更高的效率。它們可以用于制造更小、更輕、更高效的電子元件，從而提高電子設備的性能。

      2023-02-16 標簽：集成電路電子元件晶體管 1.1萬 0

      淺析氮化鎵技術原理及技術突破路線

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      　通過種種信息，我們應該都能發現，氮化鎵充電器目前已經快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發出來的，從剛開始出現的30W到現在的14...

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      碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些

      碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些

      碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術...

      2023-02-03 標簽：SiC襯底碳化硅 4448 0

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