什么是等離子體

等離子體，英文名稱plasma，是物質的第四態，其他三態有固態，液態，氣態。在半導體領域一般是氣體被電離后的狀態，又被稱為‘電漿’，具有帶電性和流動性的特點。

2024-11-05 標簽：芯片等離子體工藝 303 0

半導體光刻工藝流程分析

等離子體蝕刻機需要與濕法蝕刻相同的元素：化學蝕刻劑和能量源。從物理上講，等離子體蝕刻機由室、真空系統、氣體供應、終點檢測器和電源組成（如下圖所示）。晶圓...

2024-11-05 標簽：半導體等離子體蝕刻機 269 0

激光誘導擊穿光譜技術介紹

激光誘導擊穿光譜(英語:Laser-induced breakdown spectroscopy，LIBS) 技術，通過超短脈沖激光聚焦樣品表面形成等離...

2024-10-18 標簽：激光探測器等離子體 268 0

射頻功率放大器在等離子體壓力傳感器中的應用

實驗名稱：等離子體壓力傳感器及其在動態壓力測量中的應用研究方向：壓力傳感器測試目的：如何準確測量高超沖壓發動機隔離段和航空發動機壓氣機部件的內部流場是提...

2024-07-31 標簽：傳感器功率放大器等離子體 810 0

ICP-RIE機臺的原理是什么樣的？

ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機，是半導體芯片微納加工過程中必不可少的設備，可加工微米級納米級的微型圖案。

2024-04-30 標簽：射頻等離子體刻蝕機 1415 0

淺談刻蝕的終點控制

當等離子體轉變到這種狀態時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 955 0

利用氨等離子體預處理進行無縫間隙fll工藝的生長抑制

引言 半導體器件的設計規則收縮是集成過程中每一步的一個挑戰。在隔離的間隙-fll過程中，使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成，甚至具有良好的臺階覆蓋。為...

2024-03-29 標簽：半導體等離子體 420 0

干法刻蝕常用設備的原理及結構

干法刻蝕技術是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學物質來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數的調控，可以實現各向異性及各向...

2024-01-20 標簽：等離子體晶圓刻蝕機 8005 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調制

在過去的幾年中，MOSFET結構從平面結構改變為鰭型結構(FinFETs ),這改善了短溝道效應，并導致更高的驅動電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標簽：等離子體光纖SiGe 389 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標簽：存儲器等離子體半導體封裝 1011 0

半導體材料特性分析

書接上節，常見的物質的第四種自然狀態是等離子體狀態。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態的一個例子。當然，它和我們最常見到的固體、液體或氣體的定義的定義...

2023-12-08 標簽：半導體等離子體工藝流程 706 0

太陽能電池中表面等離子體增強光捕獲技術

光捕獲技術是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領域取得了長足的進步。利用表面等離...

2023-12-05 標簽：太陽能電池太陽能等離子體 1428 0

動態反向脈沖(DRP)實驗

在之前的《實踐出真知，實驗領創新》推文中，我們探討了與傳統的雙極脈沖(BP)雙磁控濺射相比，動態反向脈沖(DRP)模式可將基底熱負荷降低約12%，從而為...

2023-11-21 標簽：等離子體脈沖電荷 1401 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上，化學機械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標簽：等離子體等離子蝕刻工藝 548 0

等離子體清洗工藝的關鍵技術 等離子體清洗在封裝生產中的應用

等離子體工藝是干法清洗應用中的重要部分，隨著微電子技術的發展，等離子體清洗的優勢越來越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點和應用，討論了它的清洗原理和優化...

2023-10-18 標簽：芯片半導體等離子體 2056 0