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標(biāo)簽 > 等離子體

等離子體

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等離子體又叫做電漿,是由部分電子被剝奪后的原子及原子團(tuán)被電離后產(chǎn)生的正負(fù)離子組成的離子化氣體狀物質(zhì),尺度大于德拜長(zhǎng)度的宏觀電中性電離氣體,其運(yùn)動(dòng)主要受電磁力支配,并表現(xiàn)出顯著的集體行為。它廣泛存在于宇宙中,常被視為是除去固、液、氣外,物質(zhì)存在的第四態(tài)。

文章:101個(gè) 瀏覽:14243 帖子:2個(gè)

等離子體技術(shù)

PCB多層板等離子體處理技術(shù)

如此產(chǎn)生之離子、自由基被連續(xù)的沖撞和受電場(chǎng)作用力而加速,使之與材料表面碰撞,并破壞數(shù)微米范圍以?xún)?nèi)的分子鍵,誘導(dǎo)削減一定厚度,生成凹凸表面,同時(shí)形成氣體成...

2023-10-18 標(biāo)簽:印制電路板等離子體PCB 413 0

等離子體顯示器與液晶顯示器相比有何特點(diǎn) 等離子體顯示器的顯示原理

等離子體顯示器在對(duì)比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢(shì)較為顯著,適合用于娛樂(lè)和家庭影院等方面;而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢(shì),適合辦...

2023-08-10 標(biāo)簽:電流顯示器等離子體 1865 0

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

淺談半導(dǎo)體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章,我們介紹了光刻工藝,即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步,將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝,以去除不必要的材料...

2023-06-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 1408 0

鋁等離子體蝕刻率的限制

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm,鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻,我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和A...

2023-06-27 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體等離子體 680 0

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù),允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用,但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體蝕刻 1613 0

半導(dǎo)體制造之離子注入工藝簡(jiǎn)述

半導(dǎo)體制造之離子注入工藝簡(jiǎn)述

高壓直流電源用于加速離子,大約為200kV的DC電源供應(yīng)系統(tǒng)被裝配在注入機(jī)內(nèi)。為了通過(guò)離子源產(chǎn)生離子,需要用熱燈絲或射頻等離子體源。熱燈絲需要大電流和幾...

2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電路板cpu 2661 0

半導(dǎo)體絕緣介質(zhì)的填充-HDPOX

半導(dǎo)體絕緣介質(zhì)的填充-HDPOX

為了形成高密度等離子體,需要有激發(fā)混合氣體的射頻(RF)源,并直接使高密度等離子體到達(dá)硅片表面。在HDP-CVD反應(yīng)腔中,主要是由電感耦合等離子體反應(yīng)器...

2023-05-22 標(biāo)簽:射頻等離子體反應(yīng)器 7287 0

簡(jiǎn)述晶圓減薄的幾種方法

減薄晶片有四種主要方法,(1)機(jī)械研磨,(2)化學(xué)機(jī)械平面化,(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成:研...

2023-05-09 標(biāo)簽:等離子體晶圓蝕刻 1744 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述

等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來(lái)更加重要。對(duì)于成熟的技術(shù)節(jié)點(diǎn),高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系...

2023-04-21 標(biāo)簽:芯片等離子體封裝 2454 0

鋁箔紙可以隔絕手機(jī)信號(hào)嗎

一般需要超過(guò)3×106V/m的電場(chǎng)強(qiáng)度或幾千攝氏度以上的高溫,因?yàn)橹挥性谶@樣極端的條件下氣體分子才會(huì)部分或全部失去電子形成正負(fù)離子。

2023-03-29 標(biāo)簽:等離子體手機(jī)信號(hào)信號(hào)屏蔽器 2168 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(3)

對(duì)于濕法刻蝕,大部分刻蝕的終點(diǎn)都取決于時(shí)間,而時(shí)間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動(dòng)監(jiān)測(cè)終點(diǎn)的方法,所以通常由操作員目測(cè)終點(diǎn)。濕法...

2023-03-06 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體等離子體 2735 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒(méi)有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會(huì)提高。對(duì)于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過(guò)1...

2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 1513 0

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡(jiǎn)述(1)

等離子體最初用來(lái)刻蝕含碳物質(zhì),例如用氧等離子體剝除光刻膠,這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會(huì)很快與...

2023-03-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體等離子體晶圓 2197 0

半導(dǎo)體制造之等離子工藝

熱平衡等離子體中,電子和離子的能量服從玻爾茲曼分布(見(jiàn)下圖)。電容耦合型等離子體源的平均電子能量為2?3eV。等離子體中離子能量主要取決于反應(yīng)室的溫度,...

2022-12-12 標(biāo)簽:等離子體工藝半導(dǎo)體制造 1985 0

半導(dǎo)體制造之離子工藝

其中,AB是分子,而A和B是由分解碰撞產(chǎn)生的自由基,自由基至少帶有一個(gè)不成對(duì)的電子, 因此并不穩(wěn)定。自由基在化學(xué)上非常活躍,能奪取其他原子或分子的電子形...

2022-11-28 標(biāo)簽:等離子體工藝CVD 1264 0

激光切割的應(yīng)用前景

早在上世紀(jì) 70 年代,激光就被首次用于切割。在現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)中,激光切割更被廣泛應(yīng)用于鈑金,塑料、玻璃、陶瓷、半導(dǎo)體以及紡織品、木材和紙質(zhì)等材料加工。

2022-10-27 標(biāo)簽:等離子體激光切割 2587 0

等離子體蝕刻和沉積問(wèn)題的解決方案

等離子體蝕刻和沉積問(wèn)題的解決方案

我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問(wèn)題(從有機(jī)硅化合物)的問(wèn)題,特別注意表面條件,以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分...

2022-05-19 標(biāo)簽:等離子體蝕刻 2001 0

射頻微等離子體的特點(diǎn)分析

射頻微等離子體的特點(diǎn)分析

如果想在射頻微等離子中繼續(xù)獲得正常的輝光結(jié)構(gòu),保證放電間隙內(nèi)的電中性,提高放電頻率是一種可行的方法。

2020-03-29 標(biāo)簽:射頻等離子體 2271 0

PCB電路板等離子體處理的方法介紹

等離子體,是指像紫色光、霓虹燈光一樣的光,也有稱(chēng)其為抄板物質(zhì)的第四相態(tài)。等離子體相態(tài)是由于原子中激化的電子和分子無(wú)序運(yùn)動(dòng)的狀態(tài),所以具有相當(dāng)高的能量。

2019-09-10 標(biāo)簽:等離子體PCB電路板 3016 0

區(qū)塊鏈等離子體研究指導(dǎo)框架

然而,自從我開(kāi)始自己閱讀關(guān)于等離子體的在線資源以來(lái),我身邊來(lái)自cryptoeconomics Lab的專(zhuān)業(yè)等離子體研究人員為我提供了一種非常接近的方式,...

2019-01-16 標(biāo)簽:等離子體區(qū)塊鏈以太坊 787 0

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    就是通過(guò)使用移動(dòng)通信技術(shù)——例如PDA、移動(dòng)電話和衛(wèi)星通信來(lái)提供醫(yī)療服務(wù)和信息,具體到移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,則以基于安卓和iOS等移動(dòng)終端系統(tǒng)的醫(yī)療健康類(lèi)App應(yīng)用為主。
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