鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用，但是當存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 標簽：半導體等離子體蝕刻 1613 0

太陽能電池中表面等離子體增強光捕獲技術

光捕獲技術是提高太陽能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來，表面等離子體（SP）在這一領域取得了長足的進步。利用表面等離...

2023-12-05 標簽：太陽能電池太陽能等離子體 1428 0

ICP-RIE機臺的原理是什么樣的？

ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機，是半導體芯片微納加工過程中必不可少的設備，可加工微米級納米級的微型圖案。

2024-04-30 標簽：射頻等離子體刻蝕機 1415 0

淺談半導體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料...

2023-06-28 標簽：半導體等離子體晶圓 1408 0

動態反向脈沖(DRP)實驗

在之前的《實踐出真知，實驗領創新》推文中，我們探討了與傳統的雙極脈沖(BP)雙磁控濺射相比，動態反向脈沖(DRP)模式可將基底熱負荷降低約12%，從而為...

2023-11-21 標簽：等離子體脈沖電荷 1401 0

如何在刻蝕鋁之后保護鋁不被腐蝕？

需要鋁金屬的地方太多了，在DRAM和flash等存儲器產品中，鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...

2023-12-25 標簽：存儲器等離子體半導體封裝 1011 0

淺談刻蝕的終點控制

當等離子體轉變到這種狀態時，電子密度處于最低水平。一般來說，等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調整脈沖的占空比，可以將時間平均離子能量分...

2024-04-09 標簽：集成電路等離子體芯片制造 955 0

射頻功率放大器在等離子體壓力傳感器中的應用

實驗名稱：等離子體壓力傳感器及其在動態壓力測量中的應用研究方向：壓力傳感器測試目的：如何準確測量高超沖壓發動機隔離段和航空發動機壓氣機部件的內部流場是提...

2024-07-31 標簽：傳感器功率放大器等離子體 810 0

半導體材料特性分析

書接上節，常見的物質的第四種自然狀態是等離子體狀態。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態的一個例子。當然，它和我們最常見到的固體、液體或氣體的定義的定義...

2023-12-08 標簽：半導體等離子體工藝流程 706 0

鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個側壁鈍化機制。盡管AlCl和A...

2023-06-27 標簽：集成電路半導體等離子體 680 0

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上，化學機械拋光(CMP)方法用于制...

2023-11-08 標簽：等離子體等離子蝕刻工藝 548 0

利用氨等離子體預處理進行無縫間隙fll工藝的生長抑制

引言 半導體器件的設計規則收縮是集成過程中每一步的一個挑戰。在隔離的間隙-fll過程中，使用沉積工藝不能抑制接縫和空隙的形成，甚至具有良好的臺階覆蓋。為...

2024-03-29 標簽：半導體等離子體 420 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調制

在過去的幾年中，MOSFET結構從平面結構改變為鰭型結構(FinFETs ),這改善了短溝道效應，并導致更高的驅動電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標簽：等離子體光纖SiGe 389 0

什么是等離子體

等離子體，英文名稱plasma，是物質的第四態，其他三態有固態，液態，氣態。在半導體領域一般是氣體被電離后的狀態，又被稱為‘電漿’，具有帶電性和流動性的特點。

2024-11-05 標簽：芯片等離子體工藝 303 0