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標簽 > 肖特基勢壘二極管
肖特基勢壘二極管,又稱熱載流子二極管。利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成,有點接觸型和面結合型兩種管芯結構。
肖特基勢壘二極管利用金屬-半導體(M-S)接觸特性制成,由于金屬-半導體接觸的電流運輸主要是依靠多數載流子(電子),其電子遷移率高,且M-S結可以在亞微米尺度上精確制造加工,使得肖特基勢壘二極管能運用到亞毫米波、太赫茲波頻段。肖特基勢壘二極管有兩種管芯結構:點接觸型和面結合型。點接觸型管芯用一根金屬絲壓接在N型半導體外延層表面上形成金半接觸。面結合型管芯先要在N型半導體外延層表面上生成二氧化硅保護層,再用光刻的辦法腐蝕出一個小孔,暴露出N型半導體外延層表面,淀積一層金屬膜(一般采用金屬淚或鈦,稱為勢壘金屬)形成金半接觸,再蒸餾或電鍍一層金屬(金、銀等)構成電極。
類別:IC datasheet pdf 2022-05-25 標簽:二極管肖特基勢壘二極管
類別:IC datasheet pdf 2022-05-25 標簽:二極管肖特基勢壘二極管
美高森美繼續擴大碳化硅產品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領先半導體技術方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號...
英飛凌推出全新650V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管,進一步提高效率
由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管,在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下,CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。
Microchip推出最新一代汽車用700 和 1200V 碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)
Microchip新推出的器件通過了AEC-Q101認證,對于需要在提高系統效率的同時保持高質量的電動汽車電源設計人員來說,可以最大限度地提高系統的可靠...
ROHM面向車載系統開發出200V耐壓肖特基勢壘二極管“RBxx8BM/NS200”
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),面向包括xEV在內的動力傳動系統等車載系統,開發出200V耐壓的超低IR※1肖特基勢壘二極管※2(以下...
2012年10月10日,德國紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基勢壘二極管,壯大其SiC(碳化硅)產品陣容。
一提到低功耗、大電流、超高速的半導體器件,你會率先想到哪種器件?不少工程師表示,當然是肖特基勢壘二極管了!肖特基勢壘二極管是用其發明人肖特基博士(Sch...
東芝研討會解讀肖特基勢壘二極管的特性、選型、使用要點和電路設計的技巧
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Diodes推出首款碳化硅 (SiC) 蕭特基勢壘二極管 (SBD)
產品組合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一項 650V 額定電壓 (4A、6A、8A 和 10A) 的產品,以及 DIODES DS...
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