存內計算——助力實現28nm等效7nm功效

可重構芯片嘗試在芯片內布設可編程的計算資源，根據計算任務的數據流特點，動態構造出最適合的計算架構，國內團隊設計并在12nm工藝下制造的CGRA芯片，已經...

2024-05-17 標簽：芯片AI芯片制程 2034 0

3D NAND的主要制作流程

SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據產品的不同，膜層的層數也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實際有64，128，400層等層數。

2024-03-19 標簽：3d nand芯片制程 1077 0

為什么芯片工藝要借鑒“望聞問切”？

有朋友看到這個題目很疑惑，“望聞問切”不是醫學術語嗎？和芯片工藝有什么聯系嗎？兩個風馬牛不相及的行業能有什么共通之處？當然這不是牽強附會，是我從事多年工...

2024-01-18 標簽：半導體芯片工藝芯片制程 532 0

光刻掩膜版保護膜常見的類型有哪些？

掩膜版保護膜，mask pellicle，是一種透明的薄膜，在生產中覆蓋在掩膜版的表面。顧名思義，主要對掩膜版起物理與化學保護作用。

2024-01-04 標簽：光刻EUV芯片制程 1332 0

全球主要晶圓廠制程節點技術路線圖

雕刻電路圖案的核心制造設備是光刻機，它的精度決定了制程的精度。光刻機的運作原理是先把設計好的芯片圖案印在掩膜上，用激光穿過掩膜和光學鏡片，將芯片圖案曝光...

2023-11-24 標簽：臺積電晶體管光刻機 6433 0

芯片制程之常見的金屬化制程

氣態前驅體在晶圓上反應，形成所需的薄膜沉積在晶圓表面。CVD可用于沉積多種金屬，如鎢、銅、鈦等。

2023-11-16 標簽：電阻電容晶圓 2054 0

芯片制程常見的金屬材料及其特性

銀 (Ag)： 導電漿料：用于某些先進的封裝技術。 電鍍：電鍍錫銀合金 鎳 (Ni)： 硅化物形成：與硅反應形成鎳硅化物，用于某些接觸應用。 磁性金屬：...

2023-11-15 標簽：芯片CMOS封裝技術 5176 0

互連/接觸/通孔/填充分別代表了什么

在芯片制程中，互連、接觸、通孔和填充是常見術語，這四個術語代表了金屬化中不同的連接方式。那么互連、接觸、通孔和填充塞分別代表了什么？有什么作用呢？

2023-11-06 標簽：芯片集成電路晶體管 2424 0

功率MOSFET基本結構之平面結構

電流從漏極流向源極時，電流在硅片內部橫向流動，而且主要從硅片的上表層流過，因此沒有充分應用芯片的尺寸；而且，這種結構的耐壓，由柵極下面P層寬度和摻雜決定

2023-11-04 標簽：MOSFET電壓晶體管 6390 0

淺談芯片制程工序中片內&片間均勻性的定義和計算

均勻性是衡量工藝在晶圓上一致性的一個關鍵指標。比如薄膜沉積工序中薄膜的厚度；刻蝕工序中被刻蝕材料的寬度，角度等等，都可以考慮其均勻性。

2023-11-01 標簽：晶圓光刻半導體工藝 3605 0

芯片制程中常見的介質材料有哪些？都有什么作用？

在芯片制程中，介質層起到了非常重要的作用。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離，還在多層互連結構中實現了信號的高效傳輸。那么目前芯片制程中常見的介質材料有...

2023-10-19 標簽：MOSFET晶體管介電常數 5792 0

半導體工業（五）芯片密度的進步

減小特征尺寸和隨之可以逐漸增加的電路集成密度有幾個好處。在電路性能水平上，有一個顯著的優點就是可以增加電路運行速度。

2023-10-13 標簽：晶圓晶體管半導體芯片 908 0

什么是SOI襯底？SOI襯底的優勢是什么？

SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實際的結構是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄...

2023-10-10 標簽：集成電路寄生電容SOI 4495 0

芯片中的晶體管是如何安上去的呢

這是CPU的截面視圖，可以清晰的看到層狀的CPU結構，芯片內部采用的是層級排列方式，這個CPU大概是有10層。其中最下層為器件層，即是MOSFET晶體管。

2023-09-11 標簽：芯片MOSFETMOS管 867 0

什么是CoWoS？CoWoS的應用發展

過去數十年來，為了擴增芯片的晶體管數量以推升運算效能，半導體制造技術已從1971 年10,000nm制程進步至2022年3nm 制程，逐漸逼近目前已知的...

2023-08-12 標簽：晶體管半導體封裝人工智能 1218 0

EUV光刻技術優勢及挑戰

EUV光刻技術仍被認為是實現半導體行業持續創新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發展和成熟，預計EUV光刻將在未來繼續推動芯片制程的進步。

2023-05-18 標簽：光刻人工智能EUV 3090 0