干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中...

2025-01-22 標(biāo)簽：等離子體蝕刻ICP 95 0

典型的氧化局限面射型雷射結(jié)構(gòu)

為了改善上述蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)以及離子布植法制作面射型雷射的缺點(diǎn)，在1994年從德州大學(xué)奧斯丁分校獲得博士學(xué)位的D.L. Huffaker 首次發(fā)表利用選擇性...

2025-01-21 標(biāo)簽：元件雷射蝕刻 97 0

深入探討 PCB 制造技術(shù)：化學(xué)蝕刻

作者：Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中，化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名，它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方...

2025-01-25 標(biāo)簽：電路板蝕刻PCB 79 0

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu)，防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展區(qū)。側(cè)墻是由兩個(gè)主要工藝步驟形...

2024-11-09 標(biāo)簽：集成電路工藝蝕刻 591 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

過度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會(huì)導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過程中暴露于OH離子時(shí)，硅表面可能會(huì)變得粗糙。

2024-11-05 標(biāo)簽：硅晶圓蝕刻光刻膠 367 0

濕法蝕刻的發(fā)展

蝕刻的歷史方法是使用濕法蝕刻劑的浸泡技術(shù)。該程序類似于前氧化清潔沖洗干燥過程和沉浸顯影。晶圓被浸入蝕刻劑罐中一段時(shí)間，轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗站去除酸，然后轉(zhuǎn)移到最終...

2024-10-24 標(biāo)簽：晶圓蝕刻 223 0

晶圓制造工藝流程及一些常用名詞解釋

共讀好書 晶圓制造工藝流程 1、 表面清洗 2、 初次氧化 3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉積一層 Si3N4 ...

2024-07-30 標(biāo)簽：光刻蝕刻晶圓制造 1778 0

基于光譜共焦技術(shù)的PCB蝕刻檢測

傳統(tǒng)的2D視覺技術(shù)已經(jīng)無法滿足高精度的印刷電路板(PCB)外觀檢測。3D成像技術(shù)則以其獨(dú)特的優(yōu)勢，輕松地在視野范圍內(nèi)構(gòu)建目標(biāo)物的狀態(tài)，無論是斷差還是孔徑...

2024-05-27 標(biāo)簽：pcb蝕刻光譜 439 0

通信——通過表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

引言 鍺是下一代背面成像器的有希望的替代品，因?yàn)樽罱耐|(zhì)外延生長已經(jīng)產(chǎn)生了非常低的缺陷密度。鍺的固有特性使其能夠進(jìn)行高速硬X射線檢測，并在硅基本透明的...

2024-04-25 標(biāo)簽：蝕刻edl 480 0

關(guān)于兩種蝕刻方式介紹

干式蝕刻是為對光阻上的圖案忠實(shí)地進(jìn)行高精密加工的過程，故選擇材料層與光阻層的蝕刻速率差（選擇比）較大、且能夠確保蝕刻的非等向性（主要隨材料層的厚度方向進(jìn)...

2024-04-18 標(biāo)簽：蝕刻 754 0

半導(dǎo)體制造工藝 - 晶圓制造的過程

芯片制造是當(dāng)今世界最為復(fù)雜的工藝過程。這是一個(gè)由眾多頂尖企業(yè)共同完成的一個(gè)復(fù)雜過程。本文努力將這一工藝過程做一個(gè)匯總，對這個(gè)復(fù)雜的過程有一個(gè)全面而概括的描述。

2024-03-29 標(biāo)簽：芯片制造蝕刻單晶硅 3869 0

芯片制作流程分解說明

芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y試，其又可分為一般測試和特殊測試，前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。

2024-03-25 標(biāo)簽：芯片NAND晶圓 1187 0

細(xì)述幾種高效晶體硅太陽能電池技術(shù)

一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達(dá)到10％以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶...

2024-03-19 標(biāo)簽：太陽能電池蝕刻晶體硅 1838 0

半導(dǎo)體硅材料的特性解析

硅元素在自然界中主要以氧化物形式為主的化合物狀態(tài)存在。這些化合物在常溫下的化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定。而在高溫下，硅幾乎可以所有物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

2024-03-15 標(biāo)簽：晶圓半導(dǎo)體材料蝕刻 3345 0

PCB全制程流程介紹

通過光學(xué)反射原理將圖像回饋至設(shè)備處理，與設(shè)定的邏輯判斷原則或資料圖形相比較，找出缺點(diǎn)位置

2024-03-15 標(biāo)簽：pcb蝕刻基板 542 0

混合鍵合工藝流程：詳細(xì)解讀D2W和W2W的流程

現(xiàn)在對 2 個(gè)晶圓進(jìn)行處理，為粘合做好準(zhǔn)備。它們經(jīng)過 N2 等離子體處理以激活表面。等離子處理改變了表面的特性，以增加表面能并使其更加親水。

2024-03-06 標(biāo)簽：晶圓蝕刻芯片封裝 5417 0

一文讀懂芯片混合鍵合工藝流程

在封裝史上，最后一次重大范式轉(zhuǎn)變是從引線鍵合到倒裝芯片。從那時(shí)起，更先進(jìn)的封裝形式（例如晶圓級扇出和 TCB）一直是相同核心原理的漸進(jìn)式改進(jìn)。

2024-02-27 標(biāo)簽：晶圓芯片設(shè)計(jì)蝕刻 3731 0

硅雙通道光纖低溫等離子體蝕刻控制與SiGe表面成分調(diào)制

在過去的幾年中，MOSFET結(jié)構(gòu)從平面結(jié)構(gòu)改變?yōu)轹捫徒Y(jié)構(gòu)(FinFETs ),這改善了短溝道效應(yīng)，并導(dǎo)致更高的驅(qū)動(dòng)電流泄漏。然而，隨著柵極長度減小到小于...

2024-01-15 標(biāo)簽：等離子體光纖SiGe 400 0

各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)設(shè)計(jì)

今天畫了幾張多層PCB電路板內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖，用立體圖形展示各種疊層結(jié)構(gòu)的PCB圖內(nèi)部架構(gòu)。

2024-01-02 標(biāo)簽：pcb蝕刻過孔 983 0