鋁等離子體蝕刻率的限制

隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和A...

2023-06-27 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體等離子體 693 0

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在H...

2023-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子體蝕刻 1633 0

半導(dǎo)體八大工藝之刻蝕工藝：干法刻蝕

在干法蝕刻中，氣體受高頻（主要為 13.56 MHz 或 2.45 GHz）激發(fā)。在 1 到 100 Pa 的壓力下，其平均自由程為幾毫米到幾厘米。

2023-06-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1.2萬(wàn) 0

利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...

2023-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiGe 934 0

遠(yuǎn)程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕...

2023-06-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體等離子FET 2300 0

異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池中氫化本征非晶硅的設(shè)計(jì)

在硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池（SHJ）中，pn結(jié)由兩種不同形貌的硅形成，即一種是n型晶體硅（c-Si），另一種是p摻雜（III族）元素?fù)诫s）非晶硅（a-Si）。...

2023-06-13 標(biāo)簽：太陽(yáng)能蝕刻電池 963 0

凸塊制造技術(shù)演變及發(fā)展歷史

凸塊制造過程一般是基于定制的光掩模，通過真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環(huán)節(jié)而成，該技術(shù)是晶圓制造環(huán)節(jié)的延伸，也是實(shí)施倒裝（FC）封裝工藝的基礎(chǔ)及前提。

2023-06-12 標(biāo)簽：芯片制造技術(shù)蝕刻 1852 0

針對(duì)去離子水在晶片表面處理的應(yīng)用的研究

隨著半導(dǎo)體科技的發(fā)展，在固態(tài)微電子器件制造中，人們對(duì)清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機(jī)酸、堿和氧化劑，以達(dá)到去除光阻劑、顆粒、輕有機(jī)物、金屬污...

2023-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1230 0

濕式化學(xué)蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1378 0

如何在蝕刻工藝中實(shí)施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來...

2023-05-19 標(biāo)簽：pcb控制系統(tǒng)設(shè)備 1066 0

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應(yīng)離子蝕刻

反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。

2023-04-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1898 0

濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

在整個(gè)晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對(duì)于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...

2023-03-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2374 0

Pb(ZrTi)O 3鐵電體的濕化學(xué)蝕刻

當(dāng)今世界信息社會(huì)的發(fā)展在很大程度上依賴于高比特率電信技術(shù)的質(zhì)量。雖然微波和光纖被用于長(zhǎng)距離傳輸，但光網(wǎng)絡(luò)也將對(duì)高比特率信息的局部分布發(fā)揮至關(guān)重要的作用。

2023-03-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻光學(xué)器件 638 0

p型氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻

大多數(shù)iii\-氮化物的蝕刻目前是通過干燥工藝完成的。雖然干蝕刻具有許多理想的特性，包括高蝕刻率和獲得垂直壁的能力，但干蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子致?lián)p...

2023-03-22 標(biāo)簽：晶體氮化鎵蝕刻 1766 0

為下一代芯片推出高選擇性蝕刻

通過高選擇性蝕刻，專用蝕刻工具可在 IC 生產(chǎn)過程中去除或蝕刻掉微小芯片結(jié)構(gòu)中的材料

2023-03-20 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 2467 0

硅的濕式化學(xué)蝕刻和清洗

本文綜述了工程師們使用的典型的濕化學(xué)配方。盡可能多的來源已經(jīng)被用來提供一個(gè)蝕刻劑和過程的簡(jiǎn)明清單

2023-03-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻蝕刻技術(shù) 2531 0

設(shè)計(jì)毫米波PCB需要考慮哪些必要因素

在過去十年中，商業(yè)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、無線連接和一系列汽車?yán)走_(dá)的應(yīng)用已經(jīng)發(fā)展到了毫米波（24-100GHz）。毫米波應(yīng)用的這種快速增長(zhǎng)創(chuàng)造了對(duì)帶有毫米波電路...

2022-12-09 標(biāo)簽：pcb電路板物聯(lián)網(wǎng) 1938 0

一文詳解氧化剝離技術(shù)（1）

光發(fā)射器與硅電子器件的融合是許多應(yīng)用的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)，例如芯片級(jí)光互連、片上光學(xué)系統(tǒng)、光通信芯片等。[1]. 在這些應(yīng)用中，光發(fā)射機(jī)通常被設(shè)想為鍵合到硅集成電...

2022-09-09 標(biāo)簽：發(fā)射器蝕刻GaAs 1223 0