蝕刻后殘留物和光刻膠的去除方法

在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路...

2022-07-04 標(biāo)簽：蝕刻晶片光刻膠 9600 0

ITO薄膜的蝕刻速率研究

在本研究中，我們?nèi)A林科納研究了在液晶顯示(LCD)技術(shù)中常用的蝕刻劑中相同的ITO薄膜的蝕刻速率，保持浴液溫度恒定，并比較了含有相同濃度的酸的溶液，對(duì)I...

2022-07-04 標(biāo)簽：薄膜蝕刻ITO 2127 0

ITO薄膜濕法刻蝕研究

本文描述了我們?nèi)A林科納一種新的和簡(jiǎn)單的方法，通過監(jiān)測(cè)腐蝕過程中薄膜的電阻來研究濕法腐蝕ITO薄膜的動(dòng)力學(xué)，該方法能夠研究0.1至150納米/分鐘之間的蝕...

2022-07-01 標(biāo)簽：薄膜蝕刻ITO 3031 0

一種用于硅片超薄化的腐蝕技術(shù)

能源被認(rèn)為是未來五十年人類面臨的頭號(hào)問題。據(jù)估計(jì)，太陽(yáng)能在一小時(shí)內(nèi)顯示出供給的潛力，其能量足以滿足世界一年的能源需求總量。光伏產(chǎn)業(yè)面臨的一個(gè)主要挑戰(zhàn)是以...

2022-06-30 標(biāo)簽：太陽(yáng)能蝕刻硅片 2577 0

蝕刻系統(tǒng)操作條件對(duì)晶片蝕刻速率和均勻性的影響

引言 正在開發(fā)化學(xué)下游蝕刻(CDE)工具，作為用于半導(dǎo)體晶片處理的含水酸浴蝕刻的替代物。對(duì)CDE的要求包括在接近電中性的環(huán)境中獲得高蝕刻速率的能力。高蝕...

2022-06-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 3766 0

CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究

化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù)，它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標(biāo)記來繪制功能分子的自組裝單層，應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...

2022-06-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻蝕刻 750 0

TSV工藝流程與電學(xué)特性研究

本文報(bào)道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...

2022-06-16 標(biāo)簽：工藝蝕刻晶片 3432 0

使用硬掩模進(jìn)行更精細(xì)的硅通孔蝕刻

引言 隨著對(duì)多功能移動(dòng)消費(fèi)電子設(shè)備需求的增加，半導(dǎo)體芯片互連密度的復(fù)雜性不斷增加。傳統(tǒng)的芯片到封裝集成(CPI)使用引線鍵合將鍵合焊盤互連到封裝引線。隨...

2022-06-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 4691 0

硝酸濃度對(duì)硅晶片總厚度和重量損失的影響

新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機(jī)械研磨仍然會(huì)在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...

2022-06-14 標(biāo)簽：集成電路蝕刻晶片 1296 0

硅片減薄蝕刻技術(shù)：RIE技術(shù)將硅片減薄到小于20微米

引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積，從而為家庭消費(fèi)提供足夠的能量。我們?nèi)A林科納認(rèn)為，借助光阱方案，適當(dāng)鈍化的IBC電池...

2022-06-10 標(biāo)簽：制造工藝蝕刻 8753 0

蝕刻工藝表征實(shí)驗(yàn)報(bào)告研究

初始屏蔽檢查 對(duì)蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對(duì)橫截面進(jìn)行SEM檢查，以...

2022-06-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 5426 0

InGaP層去除GaAs外延蓋層的選擇性濕法蝕刻工藝

半導(dǎo)體器件的制造工程已使光電儀器、激光二極管和無線通信設(shè)備以及許多其他現(xiàn)代設(shè)備成為可能。從巴丁、布里泰因和肖克利1947年在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明晶體管，到大約...

2022-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 2555 0

通過一體式蝕刻工藝來減少通孔的缺陷

引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電...

2022-06-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 8298 0

用于Pt濕法蝕刻的鉑薄膜圖案化方案

本文提出了基于濺射Ti/Pt/Cr和Cr/Pt/Cr金屬多層膜在熱王水中濕法腐蝕Pt薄膜的簡(jiǎn)單制備方案，鉻(Cr)或鈦(Ti)用作鉑的粘附層，Cr在Pt...

2022-05-30 標(biāo)簽：薄膜蝕刻 3300 0

半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性

半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導(dǎo)體接觸的低電阻，酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對(duì)于去除有機(jī)殘留...

2022-05-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻清洗 2277 0

KOH和TMAH溶液中凸角蝕刻特性研究

在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)...

2022-05-24 標(biāo)簽：蝕刻晶片溶液 2195 0

多晶ZnO:Al薄膜的蝕刻特性研究

將ZnO:Al薄膜織構(gòu)化與沉積條件的依賴性分開是優(yōu)化ZnO作為太陽(yáng)能電池中的光散射、透明接觸的一個(gè)重要方面。對(duì)于給定的多晶ZnO:Al薄膜，凹坑的密度和...

2022-05-23 標(biāo)簽：薄膜蝕刻晶片 3661 0

等離子體蝕刻和沉積問題的解決方案

我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問題（從有機(jī)硅化合物）的問題，特別注意表面條件，以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分...

2022-05-19 標(biāo)簽：等離子體蝕刻 2013 0

晶片濕法刻蝕技術(shù)研究

文介紹了我們?nèi)A林科納研究了整個(gè)濕蝕過程中的完整性，它給出了一些確保這種保護(hù)的提示，并提出了評(píng)估這種保護(hù)的相關(guān)新方法，用光刻膠制作材料的濕圖案需要材料的完...

2022-05-16 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1219 0

一種基于摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的新型納米制備方法

在本研究中，通過對(duì)目標(biāo)區(qū)域的低破壞性掃描和在KOH溶液中的后蝕刻，發(fā)展了一種在石英表面產(chǎn)生三維納米結(jié)構(gòu)的新型納米加工方法。這種納米制造方法的能力通過各種...

2022-05-13 標(biāo)簽：納米蝕刻加工 517 0