蝕刻

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最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

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蝕刻資訊

離子布植法介紹

由于蝕刻柱狀結(jié)構(gòu)有上述金屬電極制作困難且需要額外的蝕刻制程步驟等問題，因此早期業(yè)界及學(xué)術(shù)研究單位最常采用的方法為離子布植法。采用離子布植法作為面射型雷射...

2025-01-15 標(biāo)簽：電極蝕刻 29 0

芯片濕法蝕刻工藝

芯片濕法蝕刻工藝是一種在半導(dǎo)體制造中使用的關(guān)鍵技術(shù)，主要用于通過化學(xué)溶液去除硅片上不需要的材料。基本概念濕法蝕刻是一種將硅片浸入特定的化學(xué)溶液中以去...

2024-12-27 標(biāo)簽：芯片濕法蝕刻 156 0

VCSEL激光在蝕刻和光刻中的應(yīng)用與前景

VCSEL激光在蝕刻和光刻中應(yīng)用廣泛，提高精度和效率。銀月光科技提供多波長VCSEL激光器，定制化服務(wù)，助力工業(yè)生產(chǎn)高效高質(zhì)量。未來，更多種類VCSEL...

2024-08-01 標(biāo)簽：激光光刻蝕刻 457 0

玻璃基電路板的蝕刻和側(cè)蝕技術(shù)

在對(duì)顯示面板和玻璃基板減薄蝕刻主要是指通過一定配比混酸等蝕刻液對(duì)液晶面板和玻璃基板等（二氧化硅）玻璃材質(zhì)基板進(jìn)行化學(xué)腐蝕。本文所摘選信息雖不是專門介紹對(duì)...

2024-07-19 標(biāo)簽：電路板蝕刻 552 0

玻璃電路板表面微蝕刻工藝

玻璃表面蝕刻紋路由于5G時(shí)代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢(shì)，預(yù)測(cè)大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中...

2024-07-17 標(biāo)簽：電路板蝕刻 615 0

用于批量加工的創(chuàng)新型 NexAStep濕式蝕刻清洗系統(tǒng)

來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志文章近幾十年來，半導(dǎo)體行業(yè)取得了巨大進(jìn)步，在我們的現(xiàn)代世界中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。濕法工藝設(shè)備是生產(chǎn)高質(zhì)量半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵部...

2024-06-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 266 0

聯(lián)想拯救者Y700平板新品發(fā)布，配置維持不變，屏幕改為霧面屏，操作體驗(yàn)升級(jí)

聯(lián)想方面稱，Y700 超控版率先引進(jìn)納米微晶光路設(shè)計(jì)以提升操控體驗(yàn)。同時(shí)，還采用了微納米蝕刻 AG 加工技術(shù)，使得即使在光線強(qiáng)烈的環(huán)境中，屏幕仍然清晰可見。

2024-04-09 標(biāo)簽：處理器聯(lián)想蝕刻 2581 0

影響pcb蝕刻性能的五大因素有哪些？

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過程中的關(guān)鍵步驟之一，影響蝕刻性...

2024-03-28 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)蝕刻 PCB 1022 0

印度展開鋁箔反傾銷調(diào)查，中國產(chǎn)品或進(jìn)口產(chǎn)品成為目標(biāo)

然而，經(jīng)過詳細(xì)考慮，本次調(diào)查將完全不涉及厚度低于5.5微米的非電容器用鋁箔，也不會(huì)涉及原產(chǎn)自中國、印度尼西亞、馬來西亞和泰國且厚度不超過80微米的鋁箔，...

2024-03-26 標(biāo)簽：電容器蝕刻鋁箔 733 0

通過X射線光刻在指尖大小的芯片中產(chǎn)生高精度微光學(xué)元件的晶圓級(jí)制造

引言在過去的二十年中，市場(chǎng)對(duì)大量N灰度級(jí)三維微納米元件的需求一直很活躍。基于鉛筆束的光刻技術(shù)，我們可以生產(chǎn)出精確的組件，但目前需要更長的時(shí)間去處理。使...

2024-02-28 標(biāo)簽：芯片蝕刻晶圓級(jí) 505 0

鍺化硅（SiGe）和硅（Si）之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制

引言目前，硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅（SiGe）合金的使用頻率越來越高，在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中，英思特通過使用SON結(jié)構(gòu)...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻鍺化硅 2143 0

東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

根據(jù)已公開的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)...

2024-02-18 標(biāo)簽：閃存芯片蝕刻東京電子 777 0

泛林集團(tuán)業(yè)績創(chuàng)新高，中國市場(chǎng)占比48%

Yahoo Finance網(wǎng)站顯示，分析師預(yù)期泛林集團(tuán)第二季營收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。

2024-01-26 標(biāo)簽：DRAM 存儲(chǔ)器人工智能 974 0

電偶腐蝕對(duì)先進(jìn)封裝銅蝕刻工藝的影響

共讀好書高曉義陳益鋼（上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院上海飛凱材料科技股份有限公司）摘要：在先進(jìn)封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝電鍍 733 0

Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

引言近年來，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...

2023-12-28 標(biāo)簽：晶圓 SiGe 蝕刻 698 0

韓國POSCO與中泰深冷成立合資公司，將生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需氣體

兩家公司計(jì)劃生產(chǎn)氖、氙、氪等芯片生產(chǎn)所必需的惰性氣體，按照計(jì)劃，生產(chǎn)線將于2025年投入使用。此外，這些氣體還常用于退火、光刻、等離子蝕刻和化學(xué)氣相沉積等環(huán)節(jié)。

2023-12-28 標(biāo)簽：等離子氣體蝕刻 800 0

下一代晶體管有何不同

在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。相對(duì)于FinFE...

2023-12-26 標(biāo)簽：晶體管蝕刻 458 0

300毫米芯片的設(shè)備需求日益飆升

在過去的幾年里，200mm設(shè)備在市場(chǎng)上一直供不應(yīng)求，但現(xiàn)在整個(gè)300mm供應(yīng)鏈也出現(xiàn)了問題。傳統(tǒng)上，300毫米設(shè)備的交貨時(shí)間為三到六個(gè)月，而特定系統(tǒng)的交...

2023-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 442 0

APTC成為美芯片制造商的供應(yīng)伙伴

韓國晶圓蝕刻設(shè)備優(yōu)質(zhì)制造商 APTC 今日宣布，已成功與一家美國芯片制造商達(dá)成供應(yīng)協(xié)議。APTC首席執(zhí)行官 Choi Woo-hyung 指出，成為合作...

2023-12-13 標(biāo)簽：晶圓芯片制造蝕刻 714 0

基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制

GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子...

2023-12-11 標(biāo)簽：氮化鎵蝕刻光子器件 456 0

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智慧城市就是運(yùn)用信息和通信技術(shù)手段感測(cè)、分析、整合城市運(yùn)行核心系統(tǒng)的各項(xiàng)關(guān)鍵信息，從而對(duì)包括民生、環(huán)保、公共安全、城市服務(wù)、工商業(yè)活動(dòng)在內(nèi)的各種需求做出智能響應(yīng)。
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pt100是鉑熱電阻，它的阻值會(huì)隨著溫度的變化而改變。PT后的100即表示它在0℃時(shí)阻值為100歐姆，在100℃時(shí)它的阻值約為138.5歐姆。
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TE Connectivity Ltd(泰科電子)公司設(shè)計(jì)和制造的50多萬種產(chǎn)品，連接和保護(hù)了我們?nèi)粘Ｊ褂玫母鞣N產(chǎn)品中的電力和數(shù)據(jù)流動(dòng)。
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電子管，是一種最早期的電信號(hào)放大器件。被封閉在玻璃容器（一般為玻璃管）中的陰極電子發(fā)射部分、控制柵極、加速柵極、陽極（屏極）引線被焊在管基上。利用電場(chǎng)對(duì)真空中的控制柵極注入電子調(diào)制信號(hào)，并在陽極獲得對(duì)信號(hào)放大或反饋振蕩后的不同參數(shù)信號(hào)數(shù)據(jù)。
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BT136是電子元器件型號(hào)的一種，為雙向可控硅。而可控硅又是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。
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LED英文為（light emitting diode），LED燈珠就是發(fā)光二極管的英文縮寫簡稱LED，這是一個(gè)通俗的稱呼。LED燈珠廣泛用于燈飾照明、LED大屏幕顯示、交通燈、裝飾、電腦、電子玩具禮品、交換機(jī)、電話機(jī)、廣告、城市光彩工程等諸多生產(chǎn)領(lǐng)域
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　　限流電阻是由電阻串聯(lián)于電路中，用以限制所在支路電流的大小，以防電流過大燒壞所串聯(lián)的元器件。同時(shí)限流電阻也能起分壓作用。
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硅基智能成立于2017年8月，總部位于中國南京，是一家以服務(wù)智能化和知識(shí)智能化為核心的人工智能創(chuàng)新企業(yè)。
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