印制電路板蝕刻過程中的問題

蝕刻是印制電路板制作工業中重要的一步。它看上去簡單，但實際上，如果在蝕刻階段出現問題將會影響板子的最終質量，特別是在生產細紋或高精度印制電路板時，尤為重...

2011-08-30 標簽：印制電路板PCB設計蝕刻 3718 0

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結構，單晶硅片已經用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片...

2022-03-25 標簽：裝置蝕刻硅片 3516 0

HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對硅表面質量的影響

引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態硬盤)等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進行深度濕法蝕...

2022-02-24 標簽：蝕刻硅材料 3312 0

HF、HNO3和H2O體系中硅的化學刻蝕實驗

本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動力學作為蝕刻劑組成的函數。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區域，蝕刻...

2022-03-07 標簽：蝕刻測量函數 3275 0

使用清洗溶液實現蝕刻后殘留物的完全去除

我們華林科納半導體開發了一種新的濕法清洗配方方法，其錫蝕刻速率在室溫下超過30/min，在50°c下超過100/min。該化學品與銅和低k材料兼容，適用...

2022-06-14 標簽：蝕刻清洗單晶片 3183 0

各向同性和各向異性工藝如何用于改善硅濕蝕刻

通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創建由硅濕法蝕刻產生的微觀結構。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異...

2022-03-09 標簽：半導體蝕刻 2827 0

光刻膠剝離工藝的基本原理

雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了...

2022-05-12 標簽：工藝光刻蝕刻 2667 0

III族氮化物的干法和濕法蝕刻

第三族氮化物已成為短波長發射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發射尖端的通用半導體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這...

2022-02-23 標簽：發射器氮化鎵蝕刻 2667 0

半導體晶圓清洗設備市場：行業分析

半導體晶圓清洗設備市場預計將達到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導體表面質量的情況下去除顆粒或污染物的過程。器件表面晶圓上的污...

2023-04-03 標簽：半導體晶圓蝕刻 2629 0

關于濕法蝕刻工藝對銅及其合金蝕刻劑的評述

濕法蝕刻工藝已經廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度...

2022-01-20 標簽：半導體蝕刻 2594 0

銅在去離子水中的蝕刻研究

引言 我們華林科納描述了一種與去離子水中銅的蝕刻相關的新的成品率損失機制。在預金屬化濕法清洗過程中，含有高濃度溶解氧的水會蝕刻通孔底部的銅。蝕刻在金屬化...

2022-06-16 標簽：半導體蝕刻 2487 0

HF蝕刻堿性化學清洗工藝對硅表面的影響

引言 為了在半導體工藝中獲得均勻的電氣特性、高可靠性和高倍率，保持硅酮基板清潔度的技術隨著半導體器件的高密度化，其重要性日益增加。一般來說，半導體工藝中...

2022-06-21 標簽：半導體蝕刻 2477 0

氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻

氮化鎵因其獨特的性質和在光電和微電子器件中的潛在應用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質外延層中高達108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的壽命。...

2022-02-21 標簽：蝕刻GaN電阻率 2467 0

硅和二氧化硅的濕化學蝕刻工藝

硅是微電子學和微細力學中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學蝕刻方法來實現。

2022-03-23 標簽：元件材料蝕刻 2383 0