Aston 質(zhì)譜儀對(duì)小開(kāi)口區(qū)域的蝕刻有更高的靈敏度

上海伯東日本 Aston? 質(zhì)譜儀能夠進(jìn)行準(zhǔn)確且可操作的端點(diǎn)檢測(cè), OA% 是傳統(tǒng) OES 計(jì)量解決方案的一個(gè)數(shù)量級(jí)（1/10）. Aston? 質(zhì)譜...

2023-06-20 標(biāo)簽：檢測(cè)蝕刻質(zhì)譜儀 514 0

蝕刻技術(shù)蝕刻工藝及蝕刻產(chǎn)品簡(jiǎn)介

關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)...

2023-03-16 標(biāo)簽：材料蝕刻 6847 0

載體晶圓對(duì)蝕刻速率、選擇性、形貌的影響

等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本...

2023-05-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 842 0

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過(guò)去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異...

2023-05-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1893 0

高速硅濕式各向異性蝕刻技術(shù)在批量微加工中的應(yīng)用

蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制...

2023-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1552 0

硅片表面染色對(duì)銅輔助化學(xué)蝕刻的影響

在硅基光伏產(chǎn)業(yè)鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術(shù)，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過(guò)程中，由于金剛石線和硅片的反...

2023-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 950 0

用紫外線/臭氧源對(duì)硅表面進(jìn)行簡(jiǎn)單的清潔和調(diào)節(jié)

由于成本優(yōu)化工藝是光伏行業(yè)的主要目標(biāo)，簡(jiǎn)單的、具有內(nèi)聯(lián)能力的清潔可以替代成本和時(shí)間密集型的濕化學(xué)清潔方法，如來(lái)自微電子應(yīng)用的RCA清潔。

2023-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體紫外線蝕刻 995 0

從頭到尾的半導(dǎo)體技術(shù)

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高

2023-04-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 742 0

濕式半導(dǎo)體工藝中的案例研究

半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會(huì)排放有害廢氣。對(duì)于使用非常活潑的氣體的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見(jiàn)的做法。相比之下，對(duì)于濕法...

2023-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 791 0

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)：行業(yè)分析

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到129\.1億美元。到 2029 年。晶圓清洗是在不影響半導(dǎo)體表面質(zhì)量的情況下去除顆粒或污染物的過(guò)程。器件表面晶圓上的污...

2023-04-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2625 0

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

清洗過(guò)程在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無(wú)顆粒、無(wú)金屬雜質(zhì)、無(wú)有機(jī)、無(wú)水分、無(wú)天然氧化物、無(wú)表面微粗糙度、無(wú)充...

2023-03-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻晶片 569 0

低溫蝕刻重新出現(xiàn)_

經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。

2023-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 669 0

使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅

在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻氮化硅 789 0

各向異性潤(rùn)濕過(guò)程中的表面形態(tài)

在過(guò)去的幾年中，隨著器件尺寸的不斷減小，蝕刻表面的粗糙度開(kāi)始發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。

2023-03-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 451 0