晶圓的濕法蝕刻法和清潔度

本文介紹了我們?nèi)A林科納在半導(dǎo)體制造過程中進(jìn)行的濕法蝕刻過程和使用的藥液，在晶圓表面，為了形成LSI布線，現(xiàn)在幾乎所有的半導(dǎo)體器件都使用干蝕刻方式，這是因...

2022-07-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2223 0

石英單晶等離子體蝕刻工藝參數(shù)的優(yōu)化

本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵(lì)下，在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口...

2022-02-17 標(biāo)簽：工藝參數(shù)蝕刻 2220 0

鍺化硅（SiGe）和硅（Si）之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制

引言 目前，硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅（SiGe）合金的使用頻率越來越高，在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中，英思特通過使用SON結(jié)構(gòu)...

2024-02-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻鍺化硅 2139 0

磷酸中二氧化硅的選擇性濕法蝕刻方法

摘要 在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì)，因?yàn)樗哂袩o污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優(yōu)點(diǎn)。然而，...

2022-02-15 標(biāo)簽：蝕刻晶片 2070 0

通過光刻和蝕刻工藝順序提高整個(gè)晶圓的關(guān)鍵尺寸均勻性（1）

摘要 跨晶圓柵極臨界尺寸(CD)的一致性會(huì)影響芯片與芯片之間在速度和功耗方面的性能差異。隨著線寬減小到90 nm及以下，跨晶片CD均勻性的性能規(guī)格變得越...

2022-06-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2063 0

濕法蝕刻工藝的作用：可有效去除金屬氧化物

摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明，近 8% 的設(shè)備由于金屬過多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實(shí)驗(yàn)和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在...

2022-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 2041 0

關(guān)于微技術(shù)中硅反應(yīng)離子刻蝕的研究

等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡(jiǎn)單；使用氣體輝光放電來離解和離子化相對(duì)穩(wěn)定的分子，形成化學(xué)反應(yīng)性和離子性物質(zhì)，并選擇化學(xué)物質(zhì)，使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應(yīng)，形...

2022-02-14 標(biāo)簽：材料監(jiān)測(cè)蝕刻 2001 0

對(duì)于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(...

2022-01-13 標(biāo)簽：蝕刻晶片 1973 0

納米掩膜蝕刻的詳細(xì)說明

在本文中，使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻方法進(jìn)行了陣列制作鐵氧化物納米點(diǎn)的生物納米過程，ICP法是一種很有前途的方法，用于半導(dǎo)體圖案化的干蝕刻方法，...

2022-05-19 標(biāo)簽：納米蝕刻 1972 0

HF溶液中二氧化硅刻蝕機(jī)理實(shí)驗(yàn)

在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過電場(chǎng)的應(yīng)用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導(dǎo)致這種影響。對(duì)溶解過程提出了平行反應(yīng)路徑，并加上電場(chǎng)...

2022-03-07 標(biāo)簽：電位器實(shí)驗(yàn)蝕刻 1940 0

局部濕蝕刻法制備硅玻璃凹微透鏡陣列

微透鏡陣列是重要的光學(xué)器件，因?yàn)樗鼈冊(cè)诠鈱W(xué)系統(tǒng)、微制造和生物化學(xué)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一種利用飛秒激光增強(qiáng)化學(xué)濕法刻蝕在石英玻璃上大面積制作凹...

2022-02-18 標(biāo)簽：芯片光學(xué)蝕刻 1908 0

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng) 2023-2030分析

半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)-概況 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備用于去除晶圓表面的顆粒、污染物和其他雜質(zhì)。清潔后的表面有助于提高半導(dǎo)體器件的產(chǎn)量和性能。市場(chǎng)上有各種類型...

2023-08-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1898 0

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異...

2023-05-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 1895 0

TMAH溶液進(jìn)行化學(xué)蝕刻后晶體平面的表征研究

本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計(jì)成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此，詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發(fā)現(xiàn)m-G...

2022-05-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1888 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究報(bào)告

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...

2022-02-17 標(biāo)簽：傳感器蝕刻GaAs 1794 0

溶劑對(duì)ITO電極蝕刻的影響

本文研究了室溫下鹽酸和王水溶劑對(duì)ITO膜腐蝕行為的影響，在王水中比在鹽酸中獲得更高的蝕刻速率，然而，通過XPS分析，發(fā)現(xiàn)在王水蝕刻劑中比在HCl中有更多...

2022-07-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電極蝕刻 1769 0