氮化鎵的大面積光電化學蝕刻的實驗報告

索引術語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們華林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意...

2022-02-07 標簽：化學蝕刻 1761 0

關于GaAs在酸性和堿性溶液中的濕蝕刻研究報告

摘要 我們華林科納用同步光電發射光譜法研究了無氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子...

2022-01-24 標簽：電化學蝕刻 1694 0

超深熔融石英玻璃蝕刻研究

摘要 微流體和光學傳感平臺通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因為它們具有光學透明性和化學惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介...

2022-05-23 標簽：蝕刻玻璃 1638 0

高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用

蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進一步細分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制...

2023-05-18 標簽：半導體蝕刻 1555 0

解析半導體蝕刻過程中的光學監測

為了獲得功能正常的半導體器件，我們在納米制造過程中依賴于嚴格的尺寸控制。在該初步校準之后，在相同的處理條件下在真實晶片上運行制造，隨后再次進行后處理測量...

2022-03-14 標簽：半導體監測蝕刻 1527 0

低濃度KOH中的各向異性蝕刻

引言 在使用濕化學硅體微機械加工制造微機電系統時，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...

2021-12-28 標簽：蝕刻單晶硅 1484 0

深硅蝕刻技術使下一代功率器件成為可能

包括汽車、工業、數據中心和能源行業在內的多種電子應用對大功率設備的需求正在增加。如今，功率器件必須滿足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴格要求...

2022-07-29 標簽：半導體功率器件蝕刻 1464 0

半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學

摘要 綜述了半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學蝕刻和 n 型半導體中各向異性孔的電化學蝕刻的最新見解。強調了電流效...

2022-03-03 標簽：半導體蝕刻 1458 0

微細加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經歷許多蝕刻過...

2022-03-16 標簽：蝕刻晶片加工 1435 0

關于氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻的研究

光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設備成本相對較低、表面損傷較低的優點，但尚未找到一種生產光滑的垂直側壁的方法。氮化鎵的裂切...

2022-01-17 標簽：半導體蝕刻 1430 0

華林科納通過HF蝕刻法表征鍵合界面

在許多電氣和傳感器應用中，SOI(絕緣體上硅)晶片已經取代了傳統的硅晶片，SOI晶片具有不同的掩埋氧化物(BOX)和SOI層厚度，粘合界面的強度通常用裂...

2022-06-28 標簽：半導體蝕刻 1386 0

M111N蝕刻速率，在堿性溶液中蝕刻硅

本文講述了我們華林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結處的成核的...

2022-05-20 標簽：蝕刻有機物 1369 0

適用于清潔蝕刻后殘留物的定制化學成分（1）

引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質的殘留物提供的清潔挑戰所激發的一系...

2022-06-23 標簽：半導體蝕刻 1342 0

晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米的技術挑戰

隨著技術復雜性在亞20nm節點上的加速，半導體制造成本已經快速增加，晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米將是解決這一問題的方法之一，平均而言，采用300...

2022-05-26 標簽：半導體晶圓蝕刻 1307 0

KOH和HCl處理后氧化銦錫表面的表征

引言 通過使用透明導電材料，有機發光二極管產生的光的提取已經成為可能，該透明導電材料應該具有明確定義的電子和光學特性。銦錫氧化物滿足了所有要求，它已迅速...

2021-12-24 標簽：薄膜電子器件蝕刻 1292 0

選擇性高通量TiN蝕刻方法的研究

本研究的目的是我們華林科納開發足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對電介質和金屬具有高選擇性。大多數蝕刻實驗是在分子間Tempus F...

2022-05-30 標簽：蝕刻生物技術 1269 0

金屬蝕刻殘留物對蝕刻均勻性的影響

引言 我們華林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個晶片。結果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅動放電的rf功率無關...

2022-06-13 標簽：蝕刻材料科學 1256 0

含有機HF清洗液中銅薄膜的腐蝕行為

隨著半導體工業的發展，多層處理變得越來越復雜，清洗溶液和蝕刻化學物質在提高收率和減少缺陷方面的作用變得越來越重要。本文證明了具有銅和鎢相容性的成功配方，...

2022-04-06 標簽：半導體工藝蝕刻 1236 0

硅堿性蝕刻中的絕對蝕刻速率

在 KOH 水溶液中進行濕法化學蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0....

2022-03-04 標簽：半導體工藝蝕刻 1233 0