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蝕刻

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最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發展，亦可以用于航空、機械、化學工業中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。

文章：401個瀏覽：15461次帖子：14個

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蝕刻資訊

混合酸溶液和熔融KOH中蝕刻的GaN薄膜

本文介紹了我們華林科納采用混合酸溶液(H3PO4 : H2SO4 = 1 : 3)和熔融KOH作為濕法腐蝕介質，鹽酸作為陽極腐蝕介質，用掃描電鏡和透射電...

2022-05-27 標簽：薄膜蝕刻 GaN 787 0

蝕刻速率的影響因素及解決方法

通常在蝕刻過程之后通過將總厚度變化除以蝕刻時間或者通過對不同的蝕刻時間進行幾次厚度測量并使用斜率的“最佳擬合”來測量，當懷疑蝕刻速率可能不隨時間呈線性或...

2022-05-27 標簽：材料蝕刻測量 4861 0

晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米的技術挑戰

隨著技術復雜性在亞20nm節點上的加速，半導體制造成本已經快速增加，晶圓尺寸從300毫米過渡到450毫米將是解決這一問題的方法之一，平均而言，采用300...

2022-05-26 標簽：半導體晶圓蝕刻 1307 0

鍺基襯底抗蝕劑剝離工藝研究

具有高k柵極電介質的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進技術節點的關注。對于Ge或GeOI CMOS...

2022-05-25 標簽：工藝蝕刻襯底 535 0

電化學陽極氧化納米晶多孔硅層的合成和表征研究

多孔硅由于其在可見光范圍內的室溫光致發光而引起了極大的關注。然而，關于多孔硅表面的光致發光有兩種不同的假說。第一個包括量子限制效應，這是由于分隔孔壁的窄...

2022-05-25 標簽：電化學蝕刻多孔硅 733 0

精確確定晶片結晶方向的不同技術方法

在濕法體微機械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長蝕刻導致由最慢蝕刻平面限定的結構。為了制造高尺...

2022-05-24 標簽：蝕刻晶片微機械 881 0

超深熔融石英玻璃蝕刻研究

摘要微流體和光學傳感平臺通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因為它們具有光學透明性和化學惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介...

2022-05-23 標簽：蝕刻玻璃 1638 0

在超臨界二氧化碳中蝕刻氧化硅薄膜

介紹硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨立式結構，例如微機電系統(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統的含水HF已經廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層，因為它成本...

2022-05-23 標簽：蝕刻二氧化碳 1213 0

M111N蝕刻速率，在堿性溶液中蝕刻硅

本文講述了我們華林科納研究了M111N蝕刻速率最小值的高度，以及決定它的蝕刻機制，在涉及掩模的情況下，M111N最小值的高度可以受到硅/掩模結處的成核的...

2022-05-20 標簽：蝕刻有機物 1368 0

蝕刻溶液的組成和溫度對腐蝕速率的影響

我們華林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成...

2022-05-20 標簽：蝕刻溶液 4597 0

納米掩膜蝕刻的詳細說明

在本文中，使用電感耦合等離子體(ICP)蝕刻方法進行了陣列制作鐵氧化物納米點的生物納米過程，ICP法是一種很有前途的方法，用于半導體圖案化的干蝕刻方法，...

2022-05-19 標簽：納米蝕刻 1972 0

光刻膠剝離工藝的基本原理

雖然通過蝕刻的結構化是通過(例如抗蝕劑)掩模對襯底的全表面涂層進行部分腐蝕來完成的，但是在剝離過程中，材料僅沉積在不受抗蝕劑掩模保護的位置。本文章描述了...

2022-05-12 標簽：工藝光刻蝕刻 2667 0

濕法蝕刻過程中影響光致抗蝕劑對GaAs粘附的因素

本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(D...

2022-05-10 標簽：工藝蝕刻 GaAs 705 0

不同掩模材料對400nm瀝青光柵蝕刻特性的影響

本文主要介紹了我們華林科納研究了用聚合物、Cr、二氧化硅和Cr-單聚聚合物等各種蝕刻掩模材料對400nm瀝青硅光柵的低溫深蝕刻。研究發現，下切口是限制C...

2022-05-10 標簽：光柵材料蝕刻 387 0

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介紹了我們華林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺...

2022-05-09 標簽：薄膜蝕刻 ZnO 850 0

HARSE工藝在先進封裝技術的潛在應用

在本文中講述了HARSE的工藝條件，其產生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓，還將成為展示先進封裝技術的潛在應用示例。

2022-05-09 標簽：封裝技術蝕刻硅襯底 687 0

堿性KOH蝕刻特性的詳細說明

氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學物質之一。各向異性蝕刻優先侵蝕襯底。也就是說，它們...

2022-05-09 標簽：蝕刻晶片 1939 0

一種用于蝕刻的現象學結構區域模型

在本文中，結合了現有的經驗和觀察到的多晶氧化鋅腐蝕模型，該模型可以定性地描述濺射條件、材料特性和蝕刻條件的影響。幾項研究調查了濺射參數和蝕刻行為之間的關...

2022-05-09 標簽：工藝蝕刻模型 458 0

多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的過程

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2022-05-09 標簽：半導體蝕刻 ZnO 704 0

BOE濕蝕對三維集成中銅模式直接鍵界面特性的影響

在本文中，使用緩沖氧化物蝕刻(BOE)溶液進行濕法蝕刻以直接鍵合Cu-Cu圖案之后，根據Cu圖案密度變量在400℃的結溫下進行Cu-Cu鍵合，具有良好的...

2022-05-05 標簽：工藝蝕刻硅晶片 831 0

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