TMAH溶液進行化學蝕刻后晶體平面的表征研究

本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應晶體管中的鰭式溝道設計成直而光滑的溝道側壁的新技術。因此，詳細描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發現m-G...

2022-05-05 標簽：半導體蝕刻 1888 0

硅晶片的化學蝕刻工藝研究

拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的...

2022-04-28 標簽：工藝蝕刻硅晶片 989 0

2022-04-27 標簽：半導體蝕刻 1026 0

方差分析在等離子蝕刻工序中的應用

在集成電路的許多生產步驟中，晶片被一層材料(如二氧化硅或某種金屬)完全覆蓋。通過對掩模的蝕刻有選擇性地除去不需要的材料，從而創建電路模板、電互連以及必須...

2022-04-25 標簽：集成電路蝕刻 401 0

單晶硅晶片的超聲輔助化學蝕刻

用氟化氫-氯化氫-氯氣混合物進行各向異性酸性蝕刻是一種有效的方法 單晶硅晶片紋理化的替代方法 在晶片表面形成倒金字塔結構[1，2]形貌取決于以下成分 蝕...

2022-04-12 標簽：晶圓蝕刻 540 0

半導體制造工藝中澆口蝕刻后的感光膜去除方法

通過使半導體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內晶片被抬起的情況下，用...

2022-04-11 標簽：半導體工藝蝕刻 1089 0

基于噴射條件的蝕刻特性和霧化特性研究

本研究根據蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質物...

2022-04-07 標簽：工藝特性蝕刻 583 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。 需要更薄的模具來適應更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比，應力更小。 ...

2022-04-07 標簽：工藝蝕刻硅片 968 0

含有機HF清洗液中銅薄膜的腐蝕行為

隨著半導體工業的發展，多層處理變得越來越復雜，清洗溶液和蝕刻化學物質在提高收率和減少缺陷方面的作用變得越來越重要。本文證明了具有銅和鎢相容性的成功配方，...

2022-04-06 標簽：半導體工藝蝕刻 1236 0

一種制備PS層的超聲增強化學蝕刻方法

本文采用超聲增強化學蝕刻技術制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發現p型硅多孔硅層的結構，用該方法可以制備質量因...

2022-04-06 標簽：超聲波蝕刻 534 0

蝕刻技術基礎知識介紹

關于在進行這種濕法或干法蝕刻過程中重要的表面反應機制，以Si為例，以基礎現象為中心進行解說。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細加工、厚膜材料的三維加...

2022-04-06 標簽：工藝蝕刻加工 5156 0

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透

本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-06 標簽：工藝蝕刻滲透 844 0

濕蝕刻在硅片晶薄中的作用

薄晶片已經成為各種新型微電子產品的基本需求。其中包括用于射頻識別系統的功率器件、分立半導體、光電元件和集成電路。除了向堆疊管芯組件的轉移之外，垂直系統集...

2022-04-01 標簽：工藝蝕刻晶片 396 0

晶硅晶片表面組織工藝優化研究

本文章將對表面組織工藝優化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優秀，主要適用于太...

2022-03-25 標簽：工藝蝕刻晶片 734 0

詳解單晶硅的各向異性蝕刻特性

為了形成膜結構，單晶硅片已經用氫氧化鉀和氫氧化鉀-異丙醇溶液進行了各向異性蝕刻，觀察到蝕刻速率強烈依賴于蝕刻劑溫度和濃度，用于蝕刻實驗的掩模圖案在硅晶片...

2022-03-25 標簽：裝置蝕刻硅片 3516 0

硅和二氧化硅的濕化學蝕刻工藝

硅是微電子學和微細力學中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學蝕刻方法來實現。

2022-03-23 標簽：元件材料蝕刻 2383 0

局部陽極氧化和化學蝕刻對硅表面的自然光刻

利用作為掩模的陽極多孔氧化鋁的模式轉移，制備了具有100nm周期性自有序結構的孔和柱陣列納米結構，納米圖案的轉移是通過一個涉及硅的局部陽極化和隨后的化學...

2022-03-23 標簽：電壓蝕刻測量 493 0

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導致建...

2022-03-22 標簽：參數蝕刻單晶硅 633 0

電化學行為后的蝕刻清洗

清潔是在 32 nm 及以下技術的微電子設備中集成自對準勢壘 (SAB) 的關鍵步驟之一。因此，研究不同清洗液對 SAB 金屬成分的影響非常重要，主要涉...

2022-03-22 標簽：電化學蝕刻測量 685 0

用蝕刻法測定硅晶片表面的金屬雜質

本研究為了將硅晶片中設備激活區的金屬雜質分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進行不同厚度的重復蝕刻，在晶片內表面附近，研究了定量...

2022-03-21 標簽：半導體設備蝕刻 522 0