鋁蝕刻劑控制研究—華林科納半導體

摘要 本文對本克斯使用的鋁蝕刻劑進行調查，以長期提高蝕刻部件的質量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標準。蝕...

2022-01-07 標簽：半導體蝕刻 975 0

泛林集團業績創新高，中國市場占比48%

Yahoo Finance網站顯示，分析師預期泛林集團第二季營收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。

2024-01-26 標簽：DRAM存儲器人工智能 974 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制

薄晶片已成為各種新型微電子產品的基本需求。 需要更薄的模具來適應更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比，應力更小。 ...

2022-04-07 標簽：工藝蝕刻硅片 968 0

硅晶片的酸刻蝕實驗分析

已經完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學效應的研究。反應物克服液相傳質阻力和動力學阻力完成反應。由反應形成的氣泡附著在表面上的隨機位置，...

2022-03-08 標簽：電阻數據蝕刻 952 0

硅片表面染色對銅輔助化學蝕刻的影響

在硅基光伏產業鏈中，硅晶片的制造是最基本的步驟。金剛石切片是主要的硅片切片技術，采用高速線性摩擦將硅切割成薄片。在硅片切片過程中，由于金剛石線和硅片的反...

2023-05-15 標簽：半導體晶圓蝕刻 950 0

關于鋁鎵氮（AlGaN）上p-GaN的高選擇性、低損傷蝕刻

GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導通電阻的特性，近來在功率開關應用中引起了廣泛關注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質...

2023-11-27 標簽：晶圓蝕刻GaN 949 0

用NaOH和KOH溶液蝕刻硅晶片的比較研究

在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態通過計算算術平均粗...

2022-03-21 標簽：光電蝕刻測量 947 0

在HF溶液中蝕刻期間GaAs上的砷形成

引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術、輪廓術和x光電子能譜...

2021-12-28 標簽：蝕刻晶片光刻膠 944 0

《華林科納-半導體工藝》減薄硅片的蝕刻技術

摘要 高效指間背接觸太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積，需要提供足夠數量的能源供家庭消費。我們認為適當的采用光阱技術的IBC電池即使在厚度不足的情況...

2022-02-23 標簽：半導體蝕刻 930 0

關于氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻的研究報告

引言 氮化鎵因其獨特的性質和在光電和微電子器件中的潛在應用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質外延層中高達108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的...

2022-01-18 標簽：半導體蝕刻 894 0

基于 KOH 的 AIN 和 GaN 體的選擇性濕化學蝕刻

我們華林科納開發了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發現對于基于AlGaN的深紫外發光二極管實現有效的襯底...

2022-01-05 標簽：半導體蝕刻 885 0

各種濕化學處理方法及其對表面特性的影響

引言 III-V半導體廣泛應用于氣體檢測系統、光電探測器、光遺傳學、生物醫學應用、高電子遷移率和異質結雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池...

2022-01-11 標簽：半導體蝕刻 885 0

精確確定晶片結晶方向的不同技術方法

在濕法體微機械加工中，蝕刻特性取決于取向。Si{100}和Si{110}晶片上任何幾何形狀的掩模開口的延長蝕刻導致由最慢蝕刻平面限定的結構。為了制造高尺...

2022-05-24 標簽：蝕刻晶片微機械 881 0

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-03-16 標簽：光纖蝕刻硅片 854 0

HF/H2O二元溶液中硅晶片變薄的蝕刻特性

使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散...

2022-03-18 標簽：光電蝕刻晶片 852 0

多孔ZnO薄膜表面形貌和粗糙度的研究

本文介紹了我們華林科納研究了蝕刻時間和氧化劑對用氫氧化銨(銨根OH)形成的多孔氧化鋅（氧化鋅）薄膜的表面形貌和表面粗糙度的影響。在本工作中，射頻磁控管濺...

2022-05-09 標簽：薄膜蝕刻ZnO 850 0

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透

本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-06 標簽：工藝蝕刻滲透 844 0