用NaOH和KOH溶液蝕刻硅晶片的比較研究

在本研究中，我們研究了堿性后刻蝕表面形貌對p型單晶硅片少子壽命的影響，在恒溫下分別使用30%和23%的氫氧化鈉和氫氧化鉀溶液，表面狀態通過計算算術平均粗...

2022-03-21 標簽：光電蝕刻測量 947 0

HF/H2O二元溶液中硅晶片變薄的蝕刻特性

使用酸性或氟化物溶液對硅表面進行濕蝕刻具有重大意義，這將用于生產微電子包裝所需厚度的可靠硅芯片。本文研究了濕蝕刻對浸入48%高頻/水溶液中的硅片厚度耗散...

2022-03-18 標簽：光電蝕刻晶片 850 0

如何利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除去除部分天然氧化物，暴露地下新鮮...

2022-03-18 標簽：檢測蝕刻測量 580 0

丁基醇濃度對Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響

本文我們華林科納半導體有限公司研究了類似的現象是否發生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細研究了丁基醇濃度對（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速...

2022-03-18 標簽：蝕刻晶片測量 489 0

晶圓級自清潔反射硅表面的簡單方法

利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻，在晶體硅片上生成了錐體分層結構，經氟化后表現出較強的抗反射和超疏水性，利用紫外輔助壓印光刻技術將分層硅結構轉移到NOA63...

2022-03-17 標簽：蝕刻硅片儀器 654 0

微細加工濕法蝕刻中不同蝕刻方法

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經歷許多蝕刻過...

2022-03-16 標簽：蝕刻晶片加工 1435 0

單晶硅片堿性溶液中的蝕刻速率

本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-03-16 標簽：光纖蝕刻硅片 854 0

怎樣通過重新化學表面處理改善水痕缺陷

根據水痕缺陷主要成分是氧化硅的特征， 利用磷酸氧化硅有較低的蝕刻率， 并不會蝕刻掉多晶硅的特性， 工藝易于控制。 因此對于用光學顯微鏡觀察到產生水痕缺陷...

2022-03-15 標簽：晶圓蝕刻缺陷 574 0

AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報告

摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個正六邊形的蝕刻...

2022-03-14 標簽：單晶蝕刻 444 0

一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝

我們開發了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結構，這些微結構具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微...

2022-03-14 標簽：CMOS工藝蝕刻 824 0

解析半導體蝕刻過程中的光學監測

為了獲得功能正常的半導體器件，我們在納米制造過程中依賴于嚴格的尺寸控制。在該初步校準之后，在相同的處理條件下在真實晶片上運行制造，隨后再次進行后處理測量...

2022-03-14 標簽：半導體監測蝕刻 1527 0

二氧化硅薄膜蝕刻速率均勻性的比較

半導體生產過程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統的方法，在藥液bath中一次性加入數...

2022-03-14 標簽：半導體蝕刻晶片 809 0

用于化學分析應用的Si各向異性濕法化學蝕刻

分析化學小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學習中都起到了關鍵作用。

2022-03-11 標簽：材料蝕刻微機械 738 0

晶圓濕式用于硅蝕刻浴晶圓蝕刻

了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環境污染等[1]。用于硅...

2022-03-11 標簽：傳感器晶圓蝕刻 469 0

二氧化硅蝕刻標準操作程序研究報告

緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...

2022-03-10 標簽：材料蝕刻晶片 1028 0

Cu雜質對Si(110)濕法蝕刻的影響

我們在蝕刻的硅(110)表面上實驗觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關鍵表面位置的相對穩定性和（或）反應性。在我們的模型中，小丘被蝕刻...

2022-03-10 標簽：算法蝕刻原理 391 0

半導體器件制造中的蝕刻技術

在半導體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創建該材料的圖案的技術。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義，其創建過...

2022-03-10 標簽：晶圓蝕刻器件 4970 0

各向同性和各向異性工藝如何用于改善硅濕蝕刻

通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創建由硅濕法蝕刻產生的微觀結構。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形。可以更精確地控制各向異...

2022-03-09 標簽：半導體蝕刻 2827 0

250℃電子束沉積ITO和HCl濕法蝕刻的方法說明

目的： 客戶希望我們用電子束蒸發器在較高的溫度下沉積ITO薄膜，并且薄膜電阻更小時薄膜厚度為100 nm時，薄膜厚度大于100 W/square。 樣品...

2022-03-09 標簽：半導體蝕刻 1012 0

KOH溶液中氮化鋁的濕化學蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...

2022-03-09 標簽：晶體材料蝕刻 617 0