使用酸性溶液對硅晶片進行異常各向異性蝕刻

在本文中，我們首次報道了實現硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...

2022-03-09 標簽：實驗蝕刻晶片 719 0

一種用醋酸刻蝕氧化銅的新方法

英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅，包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅，而不會侵蝕下面的銅膜。

2023-11-06 標簽：半導體蝕刻 715 0

一種穿過襯底的通孔蝕刻工藝

通過使用多級等離子體蝕刻實驗設計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現的基板通孔處理方法被集成到大批量GaA...

2022-06-23 標簽：工藝蝕刻襯底 709 0

濕法蝕刻過程中影響光致抗蝕劑對GaAs粘附的因素

本次在補救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學腐蝕過程中光刻膠粘附失效的幾個實驗的結果。確定了可能影響粘附力的幾個因素，并使用實驗設計(D...

2022-05-10 標簽：工藝蝕刻GaAs 705 0

多晶ZnO薄膜上HCl腐蝕的過程

ZnO是一種寬帶隙半導體，可摻雜為透明導電氧化物(TCO)，用于無機和有機光伏器件，為了更好地理解ZnO薄膜的腐蝕過程，我們華林科納發現了一種原子力顯微...

2022-05-09 標簽：半導體蝕刻ZnO 704 0

Si/SiGe多層堆疊的干法蝕刻

引言 近年來，硅/硅鍺異質結構已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對硅/硅鍺體系的結構制造和輸運研究有相當大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...

2023-12-28 標簽：晶圓SiGe蝕刻 698 0

通過熱增強提高氮化鎵的濕蝕刻速率報告

通過增加過硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長紫外線(UVC)暴露，硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(CL-PEC(UVC)(Horiki...

2022-02-09 標簽：設備氮化鎵蝕刻 692 0

HARSE工藝在先進封裝技術的潛在應用

在本文中講述了HARSE的工藝條件，其產生超過3微米/分鐘的蝕刻速率和控制良好的、高度各向異性的蝕刻輪廓，還將成為展示先進封裝技術的潛在應用示例。

2022-05-09 標簽：封裝技術蝕刻硅襯底 687 0

電化學行為后的蝕刻清洗

清潔是在 32 nm 及以下技術的微電子設備中集成自對準勢壘 (SAB) 的關鍵步驟之一。因此，研究不同清洗液對 SAB 金屬成分的影響非常重要，主要涉...

2022-03-22 標簽：電化學蝕刻測量 685 0

低溫蝕刻重新出現_

經過多年的研發，隨著該行業在內存和邏輯方面面臨新的挑戰，一種稱為低溫蝕刻的技術正在重新出現，成為一種可能的生產選擇。

2023-03-29 標簽：半導體晶圓蝕刻 670 0

通過濕法蝕刻改善InAs工藝報告

III-V半導體廣泛應用于氣體檢測系統、光電探測器、光遺傳學、生物醫學應用、高電子遷移率和異質結雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池的制造...

2022-02-14 標簽：機械工藝蝕刻 667 0

晶圓級自清潔反射硅表面的簡單方法

利用氫氧化鉀蝕刻和銀催化蝕刻，在晶體硅片上生成了錐體分層結構，經氟化后表現出較強的抗反射和超疏水性，利用紫外輔助壓印光刻技術將分層硅結構轉移到NOA63...

2022-03-17 標簽：蝕刻硅片儀器 654 0

單晶硅各向異性蝕刻特性的表征

在本文章中，研究了球形試樣的尺寸參數，以確定哪種尺寸允許可靠地測量各向異性蝕刻中的方向依賴性，然后進行了一系列的實驗，測量了所有方向的蝕刻速率。這導致建...

2022-03-22 標簽：參數蝕刻單晶硅 633 0

硅中的各向異性濕法蝕刻工藝課堂4（下）

figure class=imageimg src=https://file.elecfans.com/web2/M00/5A/31/pYYBAGLo4...

2022-08-09 標簽：蝕刻 632 0

KOH溶液中氮化鋁的濕化學蝕刻

本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...

2022-03-09 標簽：晶體材料蝕刻 617 0