濕法清洗后氫封端表面的原子級分析

濕清洗后，用原子分辨掃描隧道顯微鏡對氫端Si表面進行觀察。當將Si晶片浸入稀釋的含高頻溶液中時，通過堆積小梯田和臺階來構建表面。當用超純水沖洗樣品時，可...

2022-02-17 標簽：半導體晶體管蝕刻 1228 0

石英單晶等離子體蝕刻工藝參數的優化

本文對單晶石英局部等離子體化學刻蝕工藝的主要工藝參數進行了優化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵下，在CF4和H2的氣體混合物中進行蝕刻。采用田口...

2022-02-17 標簽：工藝參數蝕刻 2236 0

磷酸中二氧化硅的選擇性濕法蝕刻方法

摘要 在濕法工藝實施中使用單晶片處理器是先進半導體制造的一種趨勢，因為它具有無污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優點。然而，...

2022-02-15 標簽：蝕刻晶片 2091 0

通過濕法蝕刻改善InAs工藝報告

III-V半導體廣泛應用于氣體檢測系統、光電探測器、光遺傳學、生物醫學應用、高電子遷移率和異質結雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池的制造...

2022-02-14 標簽：機械工藝蝕刻 673 0

通過紫外線輔助光蝕刻技術實現的濕式蝕刻

我們華林科納使用K2S2O8作為氧化劑來表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產生了光滑的高質量蝕刻表面...

2022-02-14 標簽：晶體管蝕刻GaN 982 0

關于微技術中硅反應離子刻蝕的研究

等離子體輔助刻蝕的基礎簡單；使用氣體輝光放電來離解和離子化相對穩定的分子，形成化學反應性和離子性物質，并選擇化學物質，使得這些物質與待蝕刻的固體反應，形...

2022-02-14 標簽：材料監測蝕刻 2021 0

循環緩沖氧化物蝕刻過濾器的特性報告

本文討論了我們華林科納用于再循環蝕刻浴的過濾器的物理、性能和成本特性。然而，要為生產操作選擇合適的過濾器，還需要蝕刻應用知識和實踐經驗。

2022-02-10 標簽：蝕刻性能過濾器 414 0

SiC高溫退火刻蝕的各向異性實驗報告

我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉變。雖然蝕刻掩模是圓形的，但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形，這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六...

2022-02-09 標簽：實驗SiC蝕刻 1127 0

通過熱增強提高氮化鎵的濕蝕刻速率報告

通過增加過硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長紫外線(UVC)暴露，硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(CL-PEC(UVC)(Horiki...

2022-02-09 標簽：設備氮化鎵蝕刻 699 0

關于InP在HCl溶液中的蝕刻研究報告

基于HC1的蝕刻劑被廣泛應用于InP半導體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統蝕刻劑中，為了解決...

2022-02-09 標簽：電極蝕刻溶液 1064 0

氮化鎵的大面積光電化學蝕刻的實驗報告

索引術語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們華林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對氮化鎵進行光增強濕法化學刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意...

2022-02-07 標簽：化學蝕刻 1774 0

關于氮化鎵的深紫外增強濕法化學蝕刻的研究報告

本文探討了紫外輻照對生長在藍寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學刻蝕的影響。實驗過程中，我們發現氮化鎵的蝕刻發生在pH值分別為2-1和...

2022-01-24 標簽：半導體蝕刻 1206 0

關于GaAs在酸性和堿性溶液中的濕蝕刻研究報告

摘要 我們華林科納用同步光電發射光譜法研究了無氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子...

2022-01-24 標簽：電化學蝕刻 1718 0

關于濕法蝕刻工藝對銅及其合金蝕刻劑的評述

濕法蝕刻工藝已經廣泛用于生產各種應用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度...

2022-01-20 標簽：半導體蝕刻 2619 0

關于ZnO 的濕化學表面紋理化的研究報告

摘要 透明導電氧化物(TCOs)作為薄膜硅(Si)太陽能電池的前電極起著重要作用，因為它們可以提供光學散射，從而改善器件內部的光子吸收。本文報道了摻雜鋁...

2022-01-20 標簽：半導體蝕刻 408 0

KOH溶液中使用濕法蝕刻制備具有ZnO納米管的倒置有機太陽能

摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機太陽能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過濕...

2022-01-20 標簽：半導體蝕刻 460 0

關于氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻的研究報告

引言 氮化鎵因其獨特的性質和在光電和微電子器件中的潛在應用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質外延層中高達108 cm-2的位錯密度縮短了GaN基器件的...

2022-01-18 標簽：半導體蝕刻 903 0

關于KOH溶液中氮化鋁的濕化學蝕刻的研究報告

引言 我們華林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不...

2022-01-17 標簽：半導體蝕刻 414 0

關于氮化鎵的晶體學濕式化學蝕刻的研究

光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設備成本相對較低、表面損傷較低的優點，但尚未找到一種生產光滑的垂直側壁的方法。氮化鎵的裂切...

2022-01-17 標簽：半導體蝕刻 1449 0

對于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究

引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結構的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(...

2022-01-13 標簽：蝕刻晶片 1983 0