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微碧半導體VBsemi

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BSO150N03MD G-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: BSO150N03MD G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOP8
  • 溝道 Dual-N+N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

**BSO150N03MD G-VB** 是一款雙極性N溝道功率MOSFET,封裝為SOP8。這款MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和最大±20V的柵極源電壓(VGS)。其閾值電壓(Vth)為1.7V,導通電阻為20mΩ(VGS=4.5V)和16mΩ(VGS=10V),最大漏電流為8.5A。MOSFET采用溝槽技術,設計用于需要高效率和高電流處理的應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSO150N03MD G-VB
- **封裝**: SOP8
- **配置**: 雙極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 20mΩ @ VGS = 4.5V
 - 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 8.5A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSO150N03MD G-VB** 功率MOSFET 適用于以下領域和模塊:

1. **電源管理**:在電源轉換器和DC-DC轉換器中作為開關元件,適合處理中等電流負載,提供高效的電源管理和轉換。

2. **負載開關**:用于各種負載開關應用,如小型電池供電設備和家用電器,能夠高效控制電流流動和降低功耗。

3. **電動機驅動**:在小功率電動機驅動系統中使用,能夠處理中等電流負載,適合電動工具和小型電機應用,提供穩定的電流控制。

4. **功率調節**:在功率調節模塊中用于電流控制,適合應用于電源模塊和調節器中,優化系統性能和提高效率。

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