諾思

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諾思（天津）微系統(tǒng)有限公司成立于2011年，總部設(shè)于天津，總注冊資本人民幣3億元，是中國首家FBAR生產(chǎn)企業(yè)，公司從事無線設(shè)備射頻前端MEMS濾波芯片、模塊、應(yīng)用方案的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造和銷售，核心產(chǎn)品具有國際領(lǐng)先水平。

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2018-05-02 標(biāo)簽：芯片中國芯 FBAR 11083 0

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諾思簡介

　　天津工廠位于天津市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資7.5億元人民幣，已投產(chǎn)一條晶圓生產(chǎn)線和一條工藝研發(fā)線。廠房和研發(fā)中心總占地面積2.7萬平方米。

　　南昌工廠位于南昌高新區(qū)，總投資20億元人民幣，建有兩條晶圓生產(chǎn)線。廠房和研發(fā)中心總占地面積5萬平方米。預(yù)計(jì)2017年底開始投產(chǎn)。

　　★ 專注于射頻MEMS領(lǐng)域研究17年

　　★ 全球最早從事FBAR研究與產(chǎn)業(yè)化的團(tuán)隊(duì)之一

　　★ 在國際頂級期刊和會議發(fā)表論文300余篇

　　★ 承接國家重大科技計(jì)劃，“863計(jì)劃”專項(xiàng)科研課題

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2018-05-02 標(biāo)簽：芯片中國芯 FBAR 1.1萬 0

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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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