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標簽 > 鐵電存儲器
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。由于鐵電存儲器不像動態隨機存取存儲器(DRAM)和靜態隨機存取存儲器(SRAM)一樣密集(即在同樣的空間中不能存儲像它們一樣多的數據),它很可能不能取代這些技術。然而,由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲,它有望在消費者的小型設備中得到廣泛地應用,比如個人數字助理(PDA)、手機、功率表、智能卡以及安全系統。鐵電存儲器(FRAM)比閃存更快。在一些應用上,它也有可能替代電可擦除只讀存儲器(EEPROM)和靜態隨機存取存儲器(SRAM),并成為未來的無線產品的關鍵元件 。
鐵電存儲器在多MCU系統中應用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)
1、鐵電存儲器技術原理、特性及應用 美國Ramtron公司鐵電存儲器(FRAM)的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體...
兩種最常見的商業存儲器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續供電來維持其信息。閃存是非易失性的,對于長期大容量存儲來說足夠穩定,但速度不是特別快...
如圖1所示,電子電能表的基本架構包括下列各主要功能模塊:電壓電流取樣電路;16位以上分辨率的ADC;計量與控制單元;通信接口;操作界面;顯示器;存儲器。...
2010-10-18 標簽:鐵電存儲器 2034 0
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存...
鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件,簡稱FRAM。與普通EEPROM、Flash-ROM相比,它具有不需寫入時間、讀寫次數無限...
下面給出FM24C16的頁面寫和任意字節讀匯編子程序。程序經過應用驗證,效果良好(為保證穩定性,可以在相應地方加入空語句以延時)。
FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經應用于IC卡...
富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點,具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周...
Ramtron推出最新鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) FM24C64C
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布,現已在IBM的新生產線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器...
Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片,新產品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器...
富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片,位寬為512字×8位,采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。與SRAM不同,MB85R...
新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用便攜式醫療刺激系統
拍字節VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫療刺激系統
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