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標(biāo)簽 > 鐵電存儲(chǔ)器
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫(xiě)入訪問(wèn)——它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力(就像其他穩(wěn)定的存儲(chǔ)設(shè)備一樣,如只讀存儲(chǔ)器和閃存)結(jié)合起來(lái)。
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新一代鐵電存儲(chǔ)器的發(fā)展勢(shì)頭正在形成,這將改變下一代存儲(chǔ)格局
不過(guò),就研發(fā)階段而論,F(xiàn)eFET本身并不是一個(gè)新器件。對(duì)于FeFET,其主要原理是在現(xiàn)有的邏輯晶體管上采用基于氧化鉿基的High-K(高K)...
2018-01-10 標(biāo)簽:內(nèi)存場(chǎng)效應(yīng)晶體管鐵電存儲(chǔ)器 2.3萬(wàn) 0
鐵電存儲(chǔ)器在多MCU系統(tǒng)中應(yīng)用(附fm24c16的作用FM24C16引腳圖及工作程序)
1、鐵電存儲(chǔ)器技術(shù)原理、特性及應(yīng)用 美國(guó)Ramtron公司鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。這一特殊材料使鐵電存儲(chǔ)...
鐵電存儲(chǔ)器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析
鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間(Access Time),能夠更快地執(zhí)行讀取和寫(xiě)入操作。而閃存的存取速度較慢,通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲...
鐵電存儲(chǔ)器是美國(guó)Ramtran公司推出的一種非易失性存儲(chǔ)器件,簡(jiǎn)稱FRAM。
2019-08-12 標(biāo)簽:緩沖器鐵電存儲(chǔ)器 3792 0
鐵電存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)和發(fā)展趨勢(shì)分析
兩種最常見(jiàn)的商業(yè)存儲(chǔ)器位于頻譜的兩端。DRAM 速度很快,但需要持續(xù)供電來(lái)維持其信息。閃存是非易失性的,對(duì)于長(zhǎng)期大容量存儲(ch...
什么是FRAM?關(guān)于鐵電存儲(chǔ)器FRAM的特性介紹
FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個(gè)突出特性。特點(diǎn)是:“非易失性”、“高讀寫(xiě)耐久性”、“寫(xiě)入速度快”和“低功耗”。
自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個(gè)電能表 (瓦特瓦時(shí)表)原型之后,電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀(jì)多的演進(jì...
2010-10-11 標(biāo)簽:電能表鐵電存儲(chǔ)器 2197 0
FM25V02A-GTR型號(hào)存儲(chǔ)器的產(chǎn)品介紹
FM25V02A-GTR型號(hào)元器件是一款鐵電存儲(chǔ)器,采用先進(jìn)的鐵電工藝,可提供可靠的數(shù)據(jù)保留功能,可以保持151年,同時(shí)消除了復(fù)雜...
如圖1所示,電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊:電壓電流取樣電路;16位以上分辨率的ADC;計(jì)量與控制單元;通信接口;操作界面;顯示器;存儲(chǔ)器。...
2010-10-18 標(biāo)簽:鐵電存儲(chǔ)器 2052 0
鐵電存儲(chǔ)器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用
給出了一種基于鐵電存儲(chǔ)器FM18L08和C5402接口的設(shè)計(jì)方案, 實(shí)現(xiàn)了基于并行引導(dǎo)裝載模式的DSP脫機(jī)獨(dú)立運(yùn)行...
2011-08-09 標(biāo)簽:DSP鐵電存儲(chǔ)器FM18L08 1841 0
鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)與閃存(Flash)是兩種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器,它們?cè)诠ぷ髟怼⑿阅芴攸c(diǎn)、應(yīng)用場(c...
2024-09-29 標(biāo)簽:閃存FlaSh鐵電存儲(chǔ)器 1755 0
國(guó)芯思辰|國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC和Flash混合存儲(chǔ)方案的氨氣檢測(cè)儀
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-07-03 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器國(guó)芯思辰 1569 0
PLC的主機(jī)部分由中央處理器、輸入/輸出接口(I/0接口)通信、擴(kuò)展接口、儲(chǔ)存器、設(shè)備接口和電源等部分構(gòu)成。其中,基于京微齊力FPGA HME-M7和舜...
2023-05-06 標(biāo)簽:fpgaplc鐵電存儲(chǔ)器 1548 0
鐵電存儲(chǔ)器(Ferroelectric RAM, FRAM)作為一種新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在存儲(chǔ)市場(chǎng...
2024-09-29 標(biāo)簽:FlaShfram鐵電存儲(chǔ)器 1400 0
國(guó)產(chǎn)FRAM PB85RS2MC可用于醫(yī)療CT掃描機(jī),不用更換電池
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-08-11 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器CT機(jī) 1374 0
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可用于醫(yī)療生命監(jiān)護(hù)儀
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-08-16 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器監(jiān)護(hù)儀 1351 0
使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC可以讓穿戴式設(shè)備更加省電
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-08-24 標(biāo)簽:鐵電存儲(chǔ)器穿戴式設(shè)備國(guó)芯思辰 1349 0
2M大容量鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC性能參數(shù)
PB85RS2MC應(yīng)用框圖 PB85RS2MC芯片為低功耗9微安(待機(jī)),工作電壓2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的溫度范圍內(nèi)工作,芯片的數(shù)據(jù)...
2023-05-25 標(biāo)簽:處理器CMOS鐵電存儲(chǔ)器 1065 0
國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB52RS2MC在車載電子控制系統(tǒng)中的應(yīng)用
國(guó)芯思辰,國(guó)產(chǎn)芯片替代
2023-09-27 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)存儲(chǔ)器鐵電存儲(chǔ)器 1064 0
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