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標簽 > 鐵電存儲器
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關掉后保留數據能力(就像其他穩定的存儲設備一樣,如只讀存儲器和閃存)結合起來。
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拍字節的新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C可替代富士通MB85RS128B應用在藍牙網關
藍牙網關設備上,主控自帶的數據存儲往往不夠用,這時候就需要外掛存儲器進行數據的非易失性、安全存儲,本文主要提到采用拍字節的新型3D鐵電存儲器(VFRAM...
國芯思辰|拍字節新型3D鐵電存儲器(VFRAM)PB85RS128C在車身控制器上的應用,內存達128K,支持SPI接口輸出
在諸多工業、汽車等對可靠性有高要求的應用場景中,通常會使用FRAM存儲器來儲存系統中的重要信息,這得益于FRAM本身的特性,數據保存期限久、耐久性出色、...
字節新型3D鐵電存儲器(VFRAM) PB85RS128的應用
在門禁系統數據存儲的方案中,拍字節PB85RS128具有“高速數據擦寫”、“高擦寫耐久性”的特點(100萬次寫入周期、長達25年以上的數據保存時效)。
瞄準智能制造、新能源汽車等新興關鍵數據存儲需求,FeRAM以獨特性能發力智能物聯時代增量市場
存儲器是現代信息系統最關鍵的組件之一,在當前物聯網與人工智能聯合推動下的數據爆發時代,存儲器行業的“加速鍵”隨之開啟。據YOLE統計,自2019年以來,...
在某汽車鑰匙方案中,客戶需要一款128Kb的存儲用來存一些參數。由于汽車鑰匙產品普遍使用紐扣電池供電,對功耗的要求比較嚴格,一般運行功耗要求10mA以內...
新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用便攜式醫療刺激系統
拍字節VFRAM新型3D鐵電存儲器PB85RS128C適用于便攜式醫療刺激系統
富士通新型Quad SPI接口FRAM MB85RQ8MLX
鐵電隨機存取存儲器是一種使用鐵電文件作為存儲數據的電容器的存儲器。即使斷電也能保留內容。結合了ROM和RAM的優點,具有快速寫入速度、低功耗和高讀/寫周...
富士通型號MB85RC04V是一款FRAM芯片,位寬為512字×8位,采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術形成非易失性存儲單元。與SRAM不同,MB85R...
FRAM是一種非易失性存儲器產品,具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優點,富士通推出了具有并行接口型號MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲...
FRAM是一種新型存儲器,具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點,與EEPROM、FLASH相比,FRAM的讀寫更快、壽命更長,FRAM已經應用于IC卡...
鐵電存儲器(FRAM,ferroelectric RAM)是一種隨機存取存儲器,它將動態隨機存取存儲器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存...
富士通半導體利用FRAM的高速寫入,高讀寫耐久性(多次讀寫次數)特長, 提供RFID用LSI以及應用于電子設備的FRAM內置驗證IC產品。富士通提供使用...
鐵電存儲器是美國Ramtran公司推出的一種非易失性存儲器件,簡稱FRAM。與普通EEPROM、Flash-ROM相比,它具有不需寫入時間、讀寫次數無限...
Ramtron宣布提供全新4至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片,新產品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器...
Ramtron推出最新鐵電隨機存取存儲器(F-RAM) FM24C64C
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布,現已在IBM的新生產線上廣泛制造其最新鐵電隨機存取存儲器...
下面給出FM24C16的頁面寫和任意字節讀匯編子程序。程序經過應用驗證,效果良好(為保證穩定性,可以在相應地方加入空語句以延時)。
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