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標(biāo)簽 > 鍺化硅
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鍺化硅(SiGe)和硅(Si)之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制
引言 目前,硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅(SiGe)合金的使用頻率越來越高,在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中,英思特通過使用SON結(jié)構(gòu)...
外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制 突發(fā),中國商務(wù)部正式宣布將在8月1日起,對(duì)鎵、鍺等半導(dǎo)體關(guān)鍵原材料實(shí)施出口管制。對(duì)此我國外交部回應(yīng)公布對(duì)鎵鍺出口管制是中方...
Nexperia推出反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器
PMEG SiGe設(shè)備(PMEGxGxELR/P)采用功率二極管行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的節(jié)省空間、高熱效率的CFP3和CFP5封裝。
鍺化硅(SiGe)技術(shù)在測試技術(shù)中的應(yīng)用
鍺化硅(SiGe)技術(shù)在測試技術(shù)中的應(yīng)用 鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問世以來,是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料,應(yīng)
2008-11-26 標(biāo)簽:鍺化硅 2167 0
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