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2016年5月，長鑫存儲技術有限公司的事業在 “創新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業從事動態隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。DRAM 產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域，市場需求巨大并持續增長。
該發明涉及一種新型半導體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅動部組成。冷卻部內置第一冷卻介質通道，驅動部可在第一位置與第二位置
具體來說，譯碼模塊負責接收并解析模式寄存器信號，產生多個譯碼信號。而延時模塊則由多個延時子模塊組成，可以根據譯碼信號選擇
長鑫存儲科技有限公司“沉積設備、靜電卡盤、加熱系統及其控溫技術”
此項發明涉及一種新型沉積設備、靜電卡盤和加熱機構，并提供了相應的控溫方法。加熱機構主要由導熱板、加熱組件及控制器組成。加
這項發明涉及半導體器件制備設備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優化系統及反應腔室三大組件。其中，氣體管道設有多個氣體入
長鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業務騰飛，估值達1400億元
本輪所有投資人均以相同條款及價格，與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協議，并將簽署《關于長鑫科技集團股份有限公司之股東
這個新穎的發明主要是關于一款包含以下幾個部分的半導體結構：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結構，隔離結構，它處
首款國產LPDDR5存儲芯片來了！已在小米、傳音等品牌機型上完成驗證
LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和
據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權公告號CN11663
長鑫存儲最近在其官網上宣布，已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、P
資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內存演化而來。LPDDR的架構和接口針對低功耗應用進行了專門優化，
2016年5月，長鑫存儲技術有限公司的事業在 “創新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業從事動態隨機存取存儲芯片（DRAM）的設計、研發、生產和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。DRAM 產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域，市場需求巨大并持續增長。
我們將憑借值得信賴的產品和服務滿足不斷增長的市場需求，致力于成為技術領先與商業成功的半導體存儲芯片公司，以存儲科技賦能信息社會，改善人類生活。
從2018年開始，世界的局勢越來越緊張，米國尤其在以芯片為代表的高科技行業對我們全方面的彈壓，所以保證芯片的自立自主呼聲越來越高。之前我們也測試過一對紫...
繼推出全系列容量的DDR4內存和基于長鑫存儲DRAM資源的國產化內存后，江波龍在內存測試技術上不斷探索，除了自主開發基于10nm ASIC的測試系統外，...
該發明涉及一種新型半導體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅動部組成。冷卻部內置第一冷卻介質通道，驅動部可在第一位置與第二位置間移動，在第一位置時，驅動部與冷...
具體來說，譯碼模塊負責接收并解析模式寄存器信號，產生多個譯碼信號。而延時模塊則由多個延時子模塊組成，可以根據譯碼信號選擇合適的目標延時模塊，然后根據目標...
長鑫存儲科技有限公司“沉積設備、靜電卡盤、加熱系統及其控溫技術”
此項發明涉及一種新型沉積設備、靜電卡盤和加熱機構，并提供了相應的控溫方法。加熱機構主要由導熱板、加熱組件及控制器組成。加熱組件包含至少兩個加熱元件，其中...
這項發明涉及半導體器件制備設備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優化系統及反應腔室三大組件。其中，氣體管道設有多個氣體入口管道；在反應腔室內，自上而下依...
長鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業務騰飛，估值達1400億元
本輪所有投資人均以相同條款及價格，與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協議，并將簽署《關于長鑫科技集團股份有限公司之股東協議》，共同參與長鑫科技增資事項。
這個新穎的發明主要是關于一款包含以下幾個部分的半導體結構：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結構，隔離結構，它處于基底頂部并在電容接觸結構之間；...
首款國產LPDDR5存儲芯片來了！已在小米、傳音等品牌機型上完成驗證
LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12G...
長鑫存儲最近在其官網上宣布，已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...
據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權公告號CN116631469B，申請日期為2023年7月。
資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內存演化而來。LPDDR的架構和接口針對低功耗應用進行了專門優化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...
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