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閃存是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為字節存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為字節存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位（注意：NOR Flash 為字節存儲。），區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的BIOS（基本程序）、PDA（個人數字助理）、數碼相機中保存資料等。
技術特點
NOR型與NAND型閃存的區別很大，打個比方說，NOR型閃存更像內存，有獨立的地址線和數據線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬盤，地址線和數據線是共用的I/O線，類似硬盤的所有信息都通過一條硬盤線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用于存儲程序代碼并直接在閃存內運行，手機就是使用NOR型閃存的大戶，所以手機的“內存”容量通常不大；NAND型閃存主要用來存儲資料，我們常用的閃存產品，如閃存盤、數碼存儲卡都是用NAND型閃存。這里我們還需要端正一個概念，那就是閃存的速度其實很有限，它本身操作速度、頻率就比內存低得多，而且NAND型閃存類似硬盤的操作方式效率也比內存的直接訪問方式慢得多。因此，不要以為閃存盤的性能瓶頸是在接口，甚至想當然地認為閃存盤采用USB2.0接口之后會獲得巨大的性能提升。
前面提到NAND型閃存的操作方式效率低，這和它的架構設計和接口設計有關，它操作起來確實挺像硬盤（其實NAND型閃存在設計之初確實考慮了與硬盤的兼容性），它的性能特點也很像硬盤：小數據塊操作速度很慢，而大數據塊速度就很快，這種差異遠比其他存儲介質大的多。這種性能特點非常值得我們留意。
閃存存取比較快速，無噪音，散熱小。用戶空間容量需求量小的，打算購置的話可以不考慮太多，同樣存儲空間買閃存。如果需要容量空間大的（如500G），就買硬盤，較為便宜，也可以滿足用戶應用的需求。
存儲原理
要講解閃存的存儲原理，還是要從EPROM和EEPROM說起。
EPROM是指其中的內容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路（存儲細胞），常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。它與MOS電路相似，是在N型基片上生長出兩個高濃度的P型區，通過歐姆接觸分別引出源極S和漏極D。在源極和漏極之間有一個多晶硅柵極浮空在SiO2絕緣層中，與四周無直接電氣聯接。這種電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電后（譬如負電荷），就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0。若浮空柵極不帶電，則不形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。
EEPROM基本存儲單元電路的工作原理如下圖所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，后者稱為第二級浮空柵。可給第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。若VG為正電壓，第一浮空柵極與漏極之間產生隧道效應，使電子注入第一浮空柵極，即編程寫入。若使VG為負電壓，強使第一級浮空柵極的電子散失，即擦除。擦除后可重新寫入。
閃存的基本單元電路，與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層柵介質很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加以正電壓，使電子進入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與源極之間的隧道效應，把注入至浮空柵的負電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯在一起，這樣，快擦存儲器不能按字節擦除，而是全片或分塊擦除。 到后來，隨著半導體技術的改進，閃存也實現了單晶體管（1T）的設計，主要就是在原有的晶體管上加入了浮動柵和選擇柵，在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層硅氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的選擇/控制柵。數據是0或1取決于在硅底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。
閃存就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸“1”。
寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什么也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。
讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由于大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收后，很難對溝道產生影響。
閃存有什么作用
閃存是一種永久性的半導體可擦寫存儲器，U盤、存儲卡、SSD 等都屬于閃存。手機的閃存是集成在主板上的一個半導體芯片，相當于把內存卡做在機器里面，使用起來和內存卡是一摸一樣的。 里2內置了8G的閃存，也就是說，在手機里面已經具備了標稱8GB的存儲空間，可以用來存放視頻、音樂、程序 、文檔 、和各種文件。里2標稱的8GB ROM 實際只有6GB左右，少了的部分被android系統占據了，用于存放維持系統正常運行所需的系統文件。如果在這兩款機器中挑選的話，我建議LZ購買里2，內置的ROM還是次要，重要的是里2的CPU比DesireZ的更強勁。ROM其實只要夠用就可以了，因為內置閃存的讀寫速度是比不上內存卡的，現在8G的內存卡才賣80-90元，沒必要糾結于這個參數，選手機應該先看硬件配置，CPU和RAM是決定性能的，外觀、屏幕什么的都可以慢慢挑。
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術，但是據我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
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