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標(biāo)簽 > 非易失性存儲(chǔ)器
非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲(chǔ)器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別?ufs4.0和ufs3.1實(shí)際使用區(qū)別
ufs3.1和ufs4.0有什么區(qū)別?ufs4.0和ufs3.1實(shí)際使用區(qū)別? UFS是一種高速、節(jié)能、可靠的非易失性存儲(chǔ)器,旨在提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度...
2024-01-17 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)傳輸UFS非易失性存儲(chǔ)器 3.1萬 0
非易失性存儲(chǔ)器的分類和未來發(fā)展預(yù)測
非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類產(chǎn)品...
2018-12-23 標(biāo)簽:閃存存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 1.2萬 0
富士通分享三大存儲(chǔ)技術(shù) 各具獨(dú)特堪稱黑馬技術(shù)
“FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲(chǔ))用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲(chǔ)存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容...
2018-05-04 標(biāo)簽:framreram非易失性存儲(chǔ)器 1.1萬 0
賽普拉斯推出全新Excelon?F-RAM?高速、高可靠性的非易失性存儲(chǔ)器系列
先進(jìn)嵌入式解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)近日宣布推出新型串行非易失性存儲(chǔ)器系列,為關(guān)鍵任務(wù)數(shù)據(jù)采集提供卓越性能和高可靠性。...
2018-03-19 標(biāo)簽:賽普拉斯非易失性存儲(chǔ)器 7070 0
寫flash芯片時(shí)為什么需要先擦除? 在講解為什么需要先擦除Flash芯片之前,先來了解一下Flash芯片的基本概念和組成部分。 Flash芯片是非易失...
2023-10-29 標(biāo)簽:FlaSh非易失性存儲(chǔ)器 4284 0
現(xiàn)在是出現(xiàn)非易失性存儲(chǔ)的時(shí)候了
到目前為止,新興的非易失性存儲(chǔ)器(eNVM),如自旋轉(zhuǎn)矩磁阻RAM(STT-MRAM)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM) 和相變存儲(chǔ)器(PCM),由于可擴(kuò)...
2019-04-28 標(biāo)簽:RAMReRAM非易失性存儲(chǔ)器 3121 0
特斯拉電動(dòng)汽車對于任何存儲(chǔ)應(yīng)用都是一個(gè)充滿挑戰(zhàn)的環(huán)境,這不僅是因?yàn)槠囐|(zhì)量對溫度和功能安全性的要求,而且因?yàn)槊枯v汽車的使用方式都不同。
東芝推出無霍爾傳感器正弦波驅(qū)動(dòng)3相直流無刷電機(jī)控制預(yù)驅(qū)IC,助力降低振動(dòng)與噪聲
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出一款3相直流無刷電機(jī)控制預(yù)驅(qū)IC---“TC78B011FTG”,該產(chǎn)品適用于服務(wù)器風(fēng)扇和鼓風(fēng)機(jī)...
ReRAM技術(shù)將成嵌入式人工智能重要關(guān)鍵
Dialog半導(dǎo)體已將其導(dǎo)電橋接電阻RAM非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)授權(quán)給Globalfoundries,但生產(chǎn)計(jì)劃要等到2022年。 Globalf...
2020-11-17 標(biāo)簽:人工智能reram非易失性存儲(chǔ)器 2001 0
英飛凌推出全球首款采用后量子加密技術(shù)進(jìn)行固件更新的TPM安全芯片
英飛凌科技推出了全新的OPTIGA? TPM(可信平臺(tái)模塊)SLB 9672,旨在進(jìn)一步提升系統(tǒng)的安全性。
2022-02-21 標(biāo)簽:英飛凌安全芯片量子計(jì)算機(jī) 1942 0
SST推出通過認(rèn)證的基于GLOBALFOUNDRIES BCDLite?工藝的 嵌入式SuperFlash?技術(shù)
SST全球市場營銷及業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)Vipin Tiwari表示:“低掩膜次的嵌入式SuperFlash技術(shù)與先進(jìn)130 nm BCDLite工藝節(jié)點(diǎn)的結(jié)合...
2016-07-13 標(biāo)簽:嵌入式技術(shù)SST微芯科技 1669 0
STT-MRAM非易失存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用
STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性,保留時(shí)間長的存儲(chǔ)。...
2022-11-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器MRAM非易失性存儲(chǔ)器 1576 0
Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布汽車級(jí)55nm嵌入式閃存技術(shù)獲認(rèn)證
2015年5月15日,全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯...
2015-05-18 標(biāo)簽:非易失性存儲(chǔ)器GLOBALFOUNDRIES 1563 0
如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器呢?
如何充分利用單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)(MCU)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù),即使在斷電或復(fù)位...
武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)
XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達(dá)133MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),工作溫度范圍可達(dá)-40℃...
2020-05-13 標(biāo)簽:非易失性存儲(chǔ)器武漢新芯NOR flash 1383 0
目前,人工智能計(jì)算既耗電又昂貴。邊緣設(shè)備上的大多數(shù)人工智能應(yīng)用程序都涉及將數(shù)據(jù)從設(shè)備移動(dòng)到云端,人工智能在云端對其進(jìn)行處理和分析。然后將結(jié)果移回設(shè)備。這...
2022-08-20 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)智能傳感器RRAM 1331 0
MR25H256是一個(gè)串行MRAM,具有使用串行外圍設(shè)備接口的芯片選擇(CS),串行輸入(SI),串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)的四針接口在邏輯上...
2020-09-07 標(biāo)簽:串行存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器 1329 0
HIRO 部署新一代可擴(kuò)展邊緣微型數(shù)據(jù)中心
與匈牙利創(chuàng)新硬件設(shè)計(jì)公司 PCB Design Ltd.密切合作,開發(fā)了一個(gè)堅(jiān)固耐用的高性能通信與計(jì)算解決方案。
2021-12-15 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)人工智能機(jī)器學(xué)習(xí) 1308 0
國產(chǎn)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體登錄科創(chuàng)板今日申購
國產(chǎn)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體登錄科創(chuàng)板今日申購 今日國產(chǎn)晶圓代工廠華虹半導(dǎo)體正式登錄A股科創(chuàng)板,開啟申購。華虹半導(dǎo)體發(fā)行價(jià)格52.00元,發(fā)行市盈率34.7...
2023-07-25 標(biāo)簽:晶圓ipo華虹半導(dǎo)體 1286 0
X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺(tái)上新增非易失性存儲(chǔ)器功能
基于公司成熟的SONOS技術(shù),新增的Flash和EEPROM為汽車,醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來了許多新的可能性。
2019-10-18 標(biāo)簽:FlaShEEPROM非易失性存儲(chǔ)器 1243 0
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