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驅(qū)動(dòng)電壓

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　　驅(qū)動(dòng)電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。

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驅(qū)動(dòng)電壓技術(shù)

TFT-LCD液晶面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)又是什么樣的呢？

眾所周知，液晶面板是液晶顯示器的心臟，占據(jù)了整個(gè)產(chǎn)品八成以上的成本，其質(zhì)量會(huì)直接影響到顯示器的色彩、亮度、對(duì)比度、可視角度等等功能參數(shù)和顯示效果。

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IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別

IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET，其不同點(diǎn)在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板（漏極）上增加了一個(gè) P+基板（IGBT 的集電極），形成P...

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為什么驅(qū)動(dòng)電壓5V以下的繼電器很少

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2018-09-05 標(biāo)簽：繼電器驅(qū)動(dòng)電壓 1.7萬 0

橋式可逆pwm變換器電路分析

它們之間的關(guān)系是: Ug1≠Ug4=_Ug2=-Ug3。在個(gè)開關(guān)周期內(nèi)，當(dāng)0≤tston時(shí)， Uab= Us，電樞電流id沿回路1流通:當(dāng)ton≤t...

2018-08-20 標(biāo)簽：脈沖驅(qū)動(dòng)電壓可逆PWM變換器 1.6萬 0

IGBT典型過流保護(hù)電路設(shè)計(jì)分享

所謂集中過電流保護(hù)，就是檢測逆變橋輸入直流母線上的電流，當(dāng)該電流值超過設(shè)定的閾值時(shí)，封鎖所有橋臂IGBT的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

2024-02-23 標(biāo)簽：IGBT 光電耦合器過流保護(hù)電路 1.5萬 0

LED 常見的規(guī)格全方面介紹分析

LED 常見的規(guī)格有哪些？彩色 LED光色波長 Wave Length 波峰長（Peak Wavelength）：頻譜中輻射能量最強(qiáng)的波長， λ...

2020-12-18 標(biāo)簽：led 光強(qiáng)度驅(qū)動(dòng)電流 1.2萬 0

關(guān)于MOS管功率選型分析

在電源電路應(yīng)用中，往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實(shí)際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標(biāo)稱漏...

2019-06-18 標(biāo)簽：MOS管電源電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.2萬 0

一個(gè)神奇的振蕩升壓電路—焦耳小偷電路概述

焦耳小偷（Joule Thief）可以榨干一顆電池的能量，即使是平常所謂“用光了”的舊電池，通過它也能繼續(xù)發(fā)揮“余熱”。所以將其形象地比喻為電能量“焦耳...

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Buck電路中的自舉電容如何取值？計(jì)算依據(jù)是什么？

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一文詳解差分線的基礎(chǔ)知識(shí)

整個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)體系中，差分線（對(duì)）是很難搞的部分，卻是最常用的部分。說到差分線基礎(chǔ)知識(shí)，里面的概念很多，記得剛接觸的時(shí)候，奇模&共模有時(shí)候會(huì)搞不清楚。

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換用研控的運(yùn)動(dòng)控制卡產(chǎn)品來解決常見位置偏差問題

研控MCC系列運(yùn)動(dòng)控制卡使用方便，功能可靠，一般來說是不會(huì)在使用過程中產(chǎn)生位置偏差的。但是在長期客戶服務(wù)的過程中我們也遇到了一些因使用不當(dāng)造成的位置偏差...

2018-04-11 標(biāo)簽：機(jī)械運(yùn)動(dòng)驅(qū)動(dòng)電壓 5251 0

MOS管的基本結(jié)構(gòu) MOS管的二級(jí)效應(yīng)

本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，...

2023-10-02 標(biāo)簽：MOS管寄生電容 CMOS集成電路 5175 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

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高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動(dòng)電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。

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步進(jìn)電機(jī)振動(dòng)的測量方法

振動(dòng)的測量不同于噪音測量所示的規(guī)格，振動(dòng)測量方法及振動(dòng)計(jì)有很多種。振動(dòng)傳感器包括位移計(jì)、速度針、加速度計(jì)等，其中與速度成比例的電動(dòng)型以及與加速度成比例的...

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差分線是如何去定義的呢

差分線本身沒有什么特別，決定它們特性的是這兩條傳輸線上的信號(hào)傳輸方式。差分線除了傳輸差分信號(hào)，還有共模信號(hào)，前一種是大小相等方向相反的驅(qū)動(dòng)電壓，后一種是...

2022-08-16 標(biāo)簽：lvds 差分阻抗共模信號(hào) 3674 0

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SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測試結(jié)果離譜的六大原因

開關(guān)特性是功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評(píng)估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設(shè)計(jì)時(shí)直...

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SIC MOS驅(qū)動(dòng)電壓15V和18V之辯

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2022-11-07 標(biāo)簽：MOS SiC 驅(qū)動(dòng)電壓 3274 0

igbt驅(qū)動(dòng)電壓多少伏正常范圍

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