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驅動電壓

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　　驅動電壓，使器件開始工作所需的最小供電電壓。

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驅動電壓技術

針對一字型懸臂梁RF MEMS開關的兩種降低驅動電壓RF MEMS開關方法

通過理論分析和仿真，并與傳統(tǒng)的一字型懸臂梁作對比，驗證了增大局部驅動面積和降低彈性系數(shù)可以減小懸臂梁開關的驅動電壓。

2020-08-15 標簽：RF MEMS開關驅動電壓 2730 0

步進電機失步的原因和解決辦法

轉子的加速度慢于步進電動機的旋轉磁場解釋：轉子的加速度慢于步進電動機的旋轉磁場，即低于換相速度時，步進電動機會產生失步。這是因為輸入電動機的電能...

2023-10-20 標簽：電動機步進電機步進電動機 2681 0

什么是負載開關IC？使用負載開關IC的優(yōu)點負載開關IC的便捷功能

負載開關IC是以串聯(lián)方式插入電源與負載電路或IC之間的一個半導體開關。

2024-02-17 標簽：電源管理電池充電器負載開關 2663 1

對MOS管在開關狀態(tài)下的Miller效應的原因與現(xiàn)象進行分析

MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。

2022-09-29 標簽：MOS管米勒電容驅動電壓 2543 0

掌握MOS管規(guī)格書，參數(shù)縮寫全解析

MOSFET在雪崩效應發(fā)生時能夠承受的電流和電壓能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。參數(shù)：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

2024-01-26 標簽：電流 MOSFET MOS管 2538 0

共模/差模/偶模/奇模你能區(qū)分嗎？

模態(tài)是指傳輸線對的特殊激勵狀態(tài)。兩線上有相同的驅動電壓時為偶模；兩線上有相反的驅動電壓時為奇模。

2023-12-06 標簽：阻抗傳輸線差分信號 2500 0

IEDM 2022上的新型存儲器簡介

在筆者看來，市場對新興存儲器并不友善，盡管人們仍然希望存內計算（copute in memory）能夠重振基于電阻、相變和其他特性的新型存儲器。

2023-02-14 標簽：DRAM 存儲器 CMOS工藝 2261 0

SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

2023-12-05 標簽：SiC 驅動電壓 SiC MOSFET 2157 0

總電壓采樣電路中使用MOS作為開關的問題

使用高壓MOS作為開關，例如下圖（來自于ADI官網(wǎng)）LTC2949的典型應用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關；選用高壓MOS的原因是成本相對...

2023-07-06 標簽：三極管 MOS管 VDS 1913 0

基于硅光波導中的光伏效應實現(xiàn)每比特阿焦級的電光調制器

MIT研究小組基于硅光波導中的光伏效應，實現(xiàn)了每比特阿焦級的電光調制器，創(chuàng)造了新的低功耗調制器記錄。

2023-09-19 標簽：二極管晶體管光伏效應 1686 0

什么是超結高壓功率MOSFET的零電壓ZVS關斷特性

功率MOSFET在開通的過程中，當VGS的驅動電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由...

2023-02-16 標簽：電流功率MOSFET 驅動電壓 1657 0

二端口網(wǎng)絡噪聲分析方法在低噪聲放大器中的應用

系統(tǒng)中的噪聲限制了一個電路能夠正確處理的最小信號電平，它與功耗、速度、線性度之間是相互制約的。

2023-07-06 標簽：MOS管混頻器 VCO 1573 0

什么會影響MOS管驅動電壓降低呢？

MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的驅動電壓降低可能會受到以下因素的影響

2023-09-05 標簽：電容器 MOS管電源電壓 1521 0

MOSFET漏極導通特性與開關過程簡析

本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷的過...

2023-12-04 標簽：三極管 MOSFET 可變電阻 1477 0

SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討

隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及...

2022-07-27 標簽：MOSFET 驅動電壓 1430 0

為什么小功率無刷直流電機中的MOS管會燒毀？

若該電阻太大，因為MOS管會有結電容，管子太大充電速度慢，管子很長時間達不到飽和開通狀態(tài)，從而過熱燒毀。該電阻阻值一般10k以內即可。

2024-01-24 標簽：二極管 MOS管電壓控制 1424 0

igbt驅動電壓過高過低的后果

IGBT的工作原理和結構 IGBT是一種三端子功率半導體器件，由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT的工...

2024-07-25 標簽：發(fā)射極 IGBT驅動驅動電壓 1416 0

談談直流功率循環(huán)老化的測試方法

經(jīng)常聽到功率循環(huán)這個實驗，總覺得這個不是很簡單嗎，不就是IGBT溫度在一定范圍波動，然后經(jīng)過幾萬次循環(huán)，再測試IGBT的Vcesat或Rth是否異常來確...

2023-10-19 標簽：IGBT 功率器件驅動電壓 1373 0

大家能Get到DCDC高端NMOS的自舉秘訣嗎？

NMOS管的主回路電流方向為D極到S極，導通條件為VGS有一定的壓差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路電流方向為S極到G極，導通條件為VS...

2023-10-02 標簽：二極管電阻器自舉電容 1337 1

igbt驅動波形主要看什么參數(shù)

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅動波形是電力電子技術中非常重要的一個方面，它直接影響到IGBT的開關速度、損耗、可靠性等性能指標。在本文中，我們將介紹IG...

2024-07-25 標簽：驅動 IGBT 晶體管 1277 0

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