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標(biāo)簽 > 驅(qū)動(dòng)電壓
驅(qū)動(dòng)電壓,使器件開始工作所需的最小供電電壓。
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激光誘導(dǎo)石墨烯基數(shù)字微流控平臺,可用于低成本即時(shí)檢測
數(shù)字微流控(DMF)是一種新興的液體處理技術(shù),在各種生物和生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用中顯示出廣闊的潛力。
2024-05-31 標(biāo)簽:微流控芯片驅(qū)動(dòng)電壓 876 0
驅(qū)動(dòng)電壓和電壓調(diào)節(jié)是二相步進(jìn)電機(jī)的精準(zhǔn)性能策劃
二相步進(jìn)電機(jī)的工作原理基于電流在兩個(gè)相位之間切換,從而產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)的磁場,驅(qū)動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。因此,驅(qū)動(dòng)電壓對電機(jī)的性能起著決定性的影響。驅(qū)動(dòng)電壓的高低不僅決定了...
2024-03-25 標(biāo)簽:機(jī)器人步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓 447 0
瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證
3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101 Qualified)。
瞻芯電子推出第二代650V車規(guī)級TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用
近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證,該產(chǎn)品采用...
合工大研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近紅外窄帶光電探測器
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,合肥工業(yè)大學(xué)微電子學(xué)院先進(jìn)半導(dǎo)體器件與光電集成實(shí)驗(yàn)室的王莉副教授和羅林保教授團(tuán)隊(duì),成功研發(fā)出一種基于單p-型硅肖特基結(jié)的超靈敏近...
2024-01-11 標(biāo)簽:電流電壓光電探測器驅(qū)動(dòng)電壓 701 0
提升液晶透鏡成像質(zhì)量的方法:減少由液晶材料取向波動(dòng)引起的霧度
液晶(LC)透鏡的霧度一直是虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)及其它光學(xué)應(yīng)用中存在的問題,但是一項(xiàng)新的研究成果為工程師和研究人員增進(jìn)了對霧度產(chǎn)生的根本原...
2023-12-11 標(biāo)簽:機(jī)器視覺虛擬現(xiàn)實(shí)LCM 1004 0
瞻芯電子推出1700V SiC MOSFET助力高效輔助電源
11月27日,瞻芯電子開發(fā)的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)品(IV2Q171R0D7Z)通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101), 導(dǎo)通...
2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFETSiC驅(qū)動(dòng)電壓 1783 0
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件
igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開...
2023-10-19 標(biāo)簽:IGBT晶體管驅(qū)動(dòng)電壓 2.0萬 0
寄生電容對MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS(Metal Oxide Semiconductor)管是一種晶體管,它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
開關(guān)電源噪音解決方案 開關(guān)電源是一種能夠?qū)?00V-260V交流電轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的5V、12V、24V直流電的電子設(shè)備,這種電源通過高頻開關(guān)電路將輸入的電壓...
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電解電容 5986 0
場效應(yīng)管和晶體管的主要區(qū)別 場效應(yīng)管和晶體管是兩種不同的半導(dǎo)體器件,它們的工作原理和應(yīng)用場合各有不同。雖然這兩種器件都屬于半導(dǎo)體器件,但它們在制造、結(jié)構(gòu)...
2023-08-25 標(biāo)簽:放大器場效應(yīng)管調(diào)制解調(diào)器 4780 0
據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近日,新加坡國立大學(xué)(National University of Singapore)和新加坡科技研究局(A*STAR)微電子研究所...
2023-08-03 標(biāo)簽:聲波傳感器ASIC技術(shù)換能器 1589 0
InGaAs單光子探測器已廣泛應(yīng)用于激光三維成像、長距離高速數(shù)字通訊、自由空間光通信和量子通訊等。
2023-07-25 標(biāo)簽:激光雷達(dá)InGaAs驅(qū)動(dòng)電壓 822 0
當(dāng)以推薦的高(1)或低(0)電平驅(qū)動(dòng)該輸入時(shí),PMOS和NMOS FET一次導(dǎo)通一個(gè),絕不會(huì)同時(shí)導(dǎo)通。輸入驅(qū)動(dòng)電壓有一個(gè)不確定區(qū),稱為“閾值區(qū)域”,其中...
2022-08-01 標(biāo)簽:處理器CMOS驅(qū)動(dòng)電壓 543 0
開關(guān)特性是由器件在開關(guān)過程中的驅(qū)動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示的功率半導(dǎo)體開關(guān)器件最重要的特性之一。
2022-07-14 標(biāo)簽:示波器差分探頭驅(qū)動(dòng)電壓 1746 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的設(shè)置探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車,可再生能源及...
2022-06-13 標(biāo)簽:MOSFET富昌電子驅(qū)動(dòng)電壓 1724 0
富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享(一):SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
? ? 隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅(SiC)器件與模塊,在需求的不斷拉動(dòng)下,成本逐年降低, 相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用得到了極大的加速。其中,新能源汽車,可再...
2022-05-30 標(biāo)簽:新能源汽車碳化硅驅(qū)動(dòng)電壓 7809 0
不同型號的MOS管由于結(jié)構(gòu),制程,工藝的不同,其開啟電壓也是不同的,如下圖所示,有些開啟電壓1.5V即可,有些則要4.5V,那么我們在驅(qū)動(dòng)對應(yīng)的MOS時(shí)...
2022-04-08 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)電壓 1.7萬 1
開關(guān)穩(wěn)壓電源的特性以及優(yōu)缺點(diǎn)分析
開關(guān)電源通過控制調(diào)整管的通斷時(shí)間實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。
2021-07-05 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器紋波電壓驅(qū)動(dòng)電壓 8710 0
繼電器的線圈需要在合適的電壓下使用。我們在選型繼電器時(shí),都會(huì)依據(jù)電路系統(tǒng)的電壓來確定合適的繼電器,常用的線圈電壓有3.3V,5V,9V,12V以及24V等。
2020-01-17 標(biāo)簽:繼電器驅(qū)動(dòng)電壓 3207 0
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