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驅(qū)動(dòng)電流

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驅(qū)動(dòng)電流技術(shù)

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2023-10-26 標(biāo)簽:下拉電阻USB接口驅(qū)動(dòng)電流 2.5萬 0

驅(qū)動(dòng)電流怎么測(cè)試

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IGBT芯片制造工藝流程

GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率...

2023-02-20 標(biāo)簽:IGBT直流電壓驅(qū)動(dòng)電流 1.4萬 0

電力晶體管GTR的驅(qū)動(dòng)電路

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優(yōu)化驅(qū)動(dòng)特性就是以理想的基極驅(qū)動(dòng)電流波形去控制器件的開關(guān)過程,保證較高的開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗。優(yōu)化的基極驅(qū)動(dòng)電流波形與GTO門極驅(qū)動(dòng)電流波形相似。

2019-09-02 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路集電極驅(qū)動(dòng)電流 1.3萬 0

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自制實(shí)用溫度發(fā)生器(電路圖及步驟)

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米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān),當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候,管子的CE電壓開始下降,但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標(biāo)簽:MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 8986 0

驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域技術(shù)上的一個(gè)重點(diǎn)和難點(diǎn)

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2018-09-25 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)電流 6824 0

模擬開關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)特性和應(yīng)用

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盡管模擬開關(guān)具有機(jī)械開關(guān)不可取代的優(yōu)勢(shì),然而它的應(yīng)用較機(jī)械開關(guān)稍微復(fù)雜些,初次使用模擬開關(guān)的工程人員往往會(huì)由于模擬開關(guān)使用不當(dāng),引起整個(gè)系統(tǒng)的故障。本文...

2019-06-04 標(biāo)簽:模擬開關(guān)信號(hào)驅(qū)動(dòng)電流 5891 0

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光耦失效的幾種常見問題解析? 光耦失效是一個(gè)常見的問題,特別是在電子設(shè)備中經(jīng)常使用光耦進(jìn)行隔離和信號(hào)傳輸?shù)那闆r下。下面將詳細(xì)介紹一些光耦失效的常見問題以...

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HX3244,HX3248C,LY4431C,恒流升壓、高效率、調(diào)光功能、外部可調(diào)的恒定LED驅(qū)動(dòng)電流、可編程輸出過壓保護(hù)恒流升壓、高效率、PWM調(diào)光功...

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