DDR2簡介

　　DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預?。?。換句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

　　由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎?；叵肫餌DR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發(fā)展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

DDR2百科

　　DDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準，它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內存卻擁有兩倍于上一代DDR內存預讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預?。Q句話說，DDR2內存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內部控制總線4倍的速度運行。

　　由于DDR2標準規(guī)定所有DDR2內存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式，F(xiàn)BGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發(fā)展歷程，從第一代應用到個人電腦的DDR200經(jīng)過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術，第一代DDR的發(fā)展也走到了技術的極限，已經(jīng)很難通過常規(guī)辦法提高內存的工作速度；隨著Intel最新處理器技術的發(fā)展，前端總線對內存帶寬的要求是越來越高，擁有更高更穩(wěn)定運行頻率的DDR2內存將是大勢所趨。

　　種類區(qū)別

　　延遲問題

　　從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內存擁有兩倍于標準DDR內存的4BIT預讀取能力。換句話說，雖然DDR2和DDR一樣，都采用了在時鐘的上升延和下降延同時進行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統(tǒng)命令數(shù)據(jù)的能力。也就是說，在同樣100MHz的工作頻率下，DDR的實際頻率為200MHz，而DDR2則可以達到400MHz。這樣也就出現(xiàn)了另一個問題：在同等工作頻率的DDR和DDR2內存中，后者的內存延時要慢于前者。舉例來說，DDR 400和DDR2-400具有相同的延遲，而后者具有高一倍的帶寬。實際上，DDR2-400和DDR 400具有相同的帶寬，它們都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作頻率是200MHz，而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz，也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。

　　封裝

　　DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。DDR內存通常采用TSOP芯片封裝形式，這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上，當頻率更高時，它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容，這會影響它的穩(wěn)定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2內存均采用FBGA封裝形式。不同于廣泛應用的TSOP封裝形式，F(xiàn)BGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性，為DDR2內存的穩(wěn)定工作與未來頻率的發(fā)展提供了良好的保障。DDR2內存采用1.8V電壓，相對于DDR標準的2.5V，降低了不少，從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發(fā)熱量，這一點的變化是意義重大的。

　　雙通道內存

　　需要INTEL芯片組的支持，內存的CAS延遲、容量需要相同。不過，INTEL的彈性雙通道的出現(xiàn)使雙通道的形成條件更加寬松，不同容量的內存甚至都能組建雙通道除了以上所說的區(qū)別外，DDR2還引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和Post CAS。

　　離線驅動

　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所謂的離線驅動調整，DDR Ⅱ通過OCD可以提高信號的完整性。DDR Ⅱ通過調整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性；通過控制電壓來提高信號品質。

　　終結電阻器

　　ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主板上面為了防止數(shù)據(jù)線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主板的制造成本。實際上，不同的內存模組對終結電路的要求是不一樣的，終結電阻的大小決定了數(shù)據(jù)線的信號比和反射率，終結電阻小則數(shù)據(jù)線信號反射低但是信噪比也較低；終結電阻高，則數(shù)據(jù)線的信噪比高，但是信號反射也會增加。因此主板上的終結電阻并不能非常好的匹配內存模組，還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據(jù)自己的特點內建合適的終結電阻，這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，還得到了最佳的信號品質，這是DDR不能比擬的。

　　利用效率

　　Post CAS：它是為了提高DDR Ⅱ內存的利用效率而設定的。在Post CAS操作中，CAS信號（讀寫/命令）能夠被插到RAS信號后面的一個時鐘周期，CAS命令可以在附加延遲（Additive Latency）后面保持有效。原來的tRCD（RAS到CAS和延遲）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中進行設置。由于CAS信號放在了RAS信號后面一個時鐘周期，因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突?！〔捎秒p通道運行，速度是DDR的2倍?！】偟膩碚f，DDR2采用了諸多的新技術，改善了DDR的諸多不足，雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足，但相信隨著技術的不斷提高和完善，這些問題終將得到解決。

　　技術特點

　　DDR2引入了三項新的技術，它們是OCD、ODT和PostCAS。

　　OCD（Off-ChipDriver）：也就是所謂的離線驅動調整。

　　ODT：ODT是內建核心的終結電阻器。

　　PostCAS：它是為了提高DDR2內存的利用效率而設定的。

　　DDR2和DDR3有什么區(qū)別

　　DDR2和DDR3的區(qū)別

　　DDR2和DDR3的插槽是不一樣，DDR3比DDR2頻率高，速度快，容量大，性能高。

　　DDR3內存相對于DDR2內存，其實只是規(guī)格上的提高，并沒有真正的全面換代的新架構。DDR3接觸針腳數(shù)目同DDR2皆為240pin。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量內存的支持較好，而大容量內存的分水嶺是4GB這個容量，4GB是32位操作系統(tǒng)的執(zhí)行上限（不考慮PAE等等的內存映像模式，因這些32位元元延伸模式只是過渡方式，會降低效能，不會在零售市場成為技術主流）當市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內存的普及時期。

　　DDR2與DDR3內存的特性區(qū)別：

　　1、邏輯Bank數(shù)量

　　DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計，目的就是為了應對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始的邏輯Bank就是8個，另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

　　2、封裝（Packages）

　　由于DDR3新增了一些功能，在引腳方面會有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片采用96球FBGA封裝，而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規(guī)格。并且DDR3必須是綠色封裝，不能含有任何有害物質。

　　3、突發(fā)長度（BL，Burst Length）

　　由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4-bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。

　　4、尋址時序（Timing）

　　就像DDR2從DDR轉變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL范圍一般在2至5之間，而DDR3則在5至11之間，且附加延遲（AL）的設計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0至4，而DDR3時AL有三種選項，分別是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD），這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

　　二、與DDR2相比DDR3具有的優(yōu)點（桌上型unbuffered DIMM）：

　　1.速度更快：prefetch buffer寬度從4bit提升到8bit，核心同頻率下數(shù)據(jù)傳輸量將會是DDR2的兩倍。

　　2.更省電：DDR3 Module電壓從DDR2的1.8V降低到1.5V，同頻率下比DDR2更省電，搭配SRT（Self-Refresh Temperature）功能，內部增加溫度senser，可依溫度動態(tài)控制更新率（RASR，Partial Array Self-Refresh功能），達到省電目的。

　　3.容量更大：更多的Bank數(shù)量，依照JEDEC標準，DDR2應可出到單位元元4Gb的容量（亦即單條模塊可到8GB），但目前許多DRAM廠商的規(guī)劃，DDR2生產可能會跳過這個4Gb單位元元容量，也就是說屆時單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能只會到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳，目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒問題（注意：這里指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。