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FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

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　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

　　特點

　　FRAM的特點是速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫功耗極低，不存在如E2PROM的最大寫入次數(shù)的問題；但受鐵電晶體特性制約，F(xiàn)RAM仍有最大訪問（讀）次數(shù)的限制。

　　FRAM存儲單元結構

　　FRAM的存儲單元主要由電容和場效應管構成，但這個電容不是一般的電容，在它的兩個電極板中間沉淀了一層晶態(tài)的鐵電晶體薄膜。前期的FRAM的每個存儲單元使用2個場效應管和2個電容，稱為“雙管雙容”（2T2C），每個存儲單元包括數(shù)據(jù)位和各自的參考位

fram百科

　　FRAM（ferromagnetic random access memory）即鐵電存儲器。

　　特點

　　FRAM存儲單元結構

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fram知識

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富士通鐵電白皮書，選擇鐵電存儲的4點理由以及技術原理分析

鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。

2024-12-04 標簽： Fujitsu fram 鐵電存儲器 830 0
鐵電存儲器有哪些優(yōu)缺點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）作為一種新興的非易失性存儲器技術，憑借其獨特的優(yōu)勢在存儲市場

2024-09-29 標簽： FlaSh fram 鐵電存儲器 1777 0
鐵電存儲器的結構特點

鐵電存儲器（Ferroelectric RAM, FRAM）是一種結合了RAM的快速讀寫能力和非易失性存儲特性的存儲技術

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FRAM內(nèi)存耐久度的優(yōu)勢分析

FRAM的“耐力”定義為疲勞后的記憶狀態(tài)保持能力，或在許多開關周期后維持鐵電開關電荷的非易失性部分的能力。

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鐵電存儲器和flash的區(qū)別 FRAM工作原理解析

鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常

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MRAM的基本結構是磁性隧道結，研發(fā)難度高，目前主要分為兩大類：傳統(tǒng)MRAM和STT-MRAM，前者以磁場驅(qū)動，后者則采

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MRAM或磁性隨機存取存儲器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結（1T-1MTJ）體系結構作為數(shù)據(jù)存

2024-01-09 標簽：電容器存儲器數(shù)據(jù)存儲 1667 0
什么是FRAM？關于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

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