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      標簽　>　GaN技術

      GaN技術

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      gan技術技術

      如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應和Trapping效應模型參數？

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      氮化鎵(GaN)技術在5G基站、衛星通信、國防系統和其他應用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。

      2024-05-19 標簽：晶體管ASM氮化鎵 947 0

      一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關—U8722

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      氮化鎵充電器是一種新型的快充技術，在充電速度、安全性做到了突破。

      2024-04-09 標簽：充電器氮化鎵驅動電流 726 0

      高頻率高性能CCM同步整流芯片U7612介紹

      同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。

      2023-09-06 標簽：MOSFET整流二極管肖特基二極管 1752 0

      激光功率對金剛石缺陷產生的原因及反應機理簡析

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      具有通孔結構的金剛石在高精度引線成型及高功率微波器件散熱領域， 具有良好的應用前景。

      2023-08-12 標簽：激光器XPS激光功率計 2037 0

      Si基GaN功率器件制備技術與集成

      Si基GaN功率器件制備技術與集成

      寬禁帶半導體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉換，射頻功放，以及極端環境電子應用方面具有優異的材料優勢。

      2023-08-09 標簽：MOSFET功率半導體碳化硅 859 0

      GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術挑戰

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      　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

      2023-08-09 標簽：驅動器SiC氮化鎵 1030 0

      襯底工程對氮化物LED的影響研究

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      近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...

      2023-08-08 標簽：led激光器發光二極管 367 0

      基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

      基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

      一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應，在環境監測、太陽輻射測量、航天科學、太陽能電池優化和軍事應用等...

      2023-08-04 標簽：太陽能電池探測器MOCVD 1814 0

      PI氮化鎵的質量與可靠性介紹

      PI氮化鎵的質量與可靠性介紹

      氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導率和非常好的物理、化學穩定性。正因其各方面都有著非常好的...

      2023-07-27 標簽：氮化鎵半導體芯片GaN技術 1632 0

      表面終端金剛石場效應晶體管的研究

      表面終端金剛石場效應晶體管的研究

      金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導率、達5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質

      2023-07-25 標簽：傳感器MOSFETFET 1241 0

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      gan技術資訊

      貿澤電子攜手ADI與Bourns發布GaN技術電子書

      專注于新品引入 (NPI) 領域的知名代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 近日宣布了一項重要合作成果——與Analog Devic...

      2024-12-11 標簽：電子元器件ADI貿澤電子 252 0

      安建半導體獲得超過2億元人民幣的C1輪融資

      安建半導體C1輪融資圓滿收官，公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領投，龍鼎投資、一元航天及萬創投資跟投。

      2024-04-08 標簽：MOSFET功率半導體GaN技術 522 0

      Allegro推出高帶寬電流傳感器技術，幫助實現高性能電源轉換

      為幫助業界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術，在電動汽車、清潔能源解決方案和數據中心等應用中實現更高性能電源轉換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流...

      2024-03-04 標簽：電源轉換allegroSNR 684 0

      垂直GaN技術新突破 新變局

      垂直GaN技術新突破 新變局

      目前，以傳統半導體硅（Si）為主要材料的半導體器件仍然主導著電力電子功率元件。

      2024-01-25 標簽：led照明半導體氮化鎵 1156 0

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      近日，英飛凌聯手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術的V2X 充電樁。

      2024-01-19 標簽：英飛凌新能源汽車歐姆龍 1158 0

      深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究

      深紫外透明導電Si摻雜氧化鎵異質外延薄膜研究

      近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產業界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和...

      2023-09-11 標簽：新能源汽車光電探測器碳化硅 678 0

      聚燦光電LED芯片龍頭廠商再度加碼MLED

      9月4日，聚燦光電公布向特定對象發行A股股票上市公告書，確定本次定增募資發行價格9.2元/股，發行股數1.18億股，募集資金總額約10.86億元。

      2023-09-11 標簽：LED芯片GaN技術Micro LED 496 0

      泰高技術攜手鎵宏半導體簽署GaN領域的全面戰略合作協議

      近日，深圳市泰高技術與深圳鎵宏半導體有限公司達成了一項全面戰略合作協議，旨在增強企業的可持續發展能力，提升產品競爭力。

      2023-09-08 標簽：半導體氮化鎵射頻芯片 1109 0

      功率器件的材料演進之路 氧化鎵商業化愈發臨近

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      如今，我們已經無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產、分發和使用過程中，功率轉換起著至關重要的作用。

      2023-08-09 標簽：探測器功率半導體碳化硅 406 0

      SNOM對GaN基發光芯片的高空間分辨光學表征

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      近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業...

      2023-08-04 標簽：耦合器LSPGaN技術 2111 0

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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業家 ，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務 。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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