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標(biāo)簽 > GaN
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UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊(cè) 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達(dá) 65W的電...
2025-01-21 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 252 0
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開(kāi)發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
2025-01-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN功率控制器 116 0
一、術(shù)語(yǔ) 1、SiP:System-in-Package SiP是一種先進(jìn)的封裝技術(shù),它將多個(gè)半導(dǎo)體器件、集成電路(IC)或其他電子組件,以及必要的輔助...
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)?粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而,硅也有局限性,尤其在電力電子領(lǐng)域,設(shè)計(jì)人員面臨著越來(lái)越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮...
驅(qū)動(dòng)電流分檔功能?是指通過(guò)配置不同的分壓電阻值來(lái)調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流的檔位,從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中,如電源管理芯片U8...
TI的UCG28826無(wú)輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長(zhǎng),進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中,制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...
廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺(tái)方案
廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開(kāi)發(fā)平臺(tái),集成...
2024-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 1306 0
45W電源芯片U8765的高壓?jiǎn)?dòng)功能
高壓?jiǎn)?dòng)是電源芯片在工作中啟動(dòng)的一種方式,通常是在電源芯片啟動(dòng)時(shí)加入一個(gè)高壓信號(hào),使其能夠快速地進(jìn)入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓?jiǎn)?dòng)...
2024-12-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路GaN電源芯片 260 0
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體 26 0
變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器受益于集成GaN立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN變速電機(jī) 19 0
用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)高頻GaN 23 0
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 23 0
利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載
類別:電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 18 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽:拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaNAHB 81 0
基于GaN的多輸出反激式轉(zhuǎn)換器中平面變壓器繞組損耗的優(yōu)化方法立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽:變壓器反激式轉(zhuǎn)換器GaN 66 0
近日,日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破:成功開(kāi)發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
解析GaN器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù):鍵合、生長(zhǎng)、鈍化生長(zhǎng)
在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域,GaN(氮化鎵)器件因其卓越的性能而備受矚目。然而,隨著功率密度的不斷提升,器件內(nèi)部的熱積累問(wèn)題日益嚴(yán)重,成...
隨著全球新能源汽車、人工智能、光伏及儲(chǔ)能等新興市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,高性能功率器件的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。在這一背景下,2025年1月8日于珠海金灣工...
HFG610-65 數(shù)據(jù)手冊(cè)和產(chǎn)品介紹 具有集成 GaN HEMT 的高頻準(zhǔn)諧振反激式穩(wěn)壓器
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振 (QR) 反激式穩(wěn)壓器,專用于高性能和高頻設(shè)計(jì)。與傳統(tǒng)QR 反激式穩(wěn)壓器不同,HFG610-...
安森美成功收購(gòu)紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!
近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布,以2000萬(wàn)美元的價(jià)格成功收購(gòu)位于美國(guó)紐約州德威特的原NexGenPowerSystem...
近年來(lái),在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
應(yīng)用指南導(dǎo)讀 | 優(yōu)化HV CoolGaN?功率晶體管的PCB布局
作為寬禁帶半導(dǎo)體,氮化鎵(GaN)以其前所未有的速度、效率和可靠性迅速成為現(xiàn)代功率電子領(lǐng)域的新寵。然而,GaN器件的高速開(kāi)關(guān)行為也對(duì)PCB布局設(shè)計(jì)提出了...
隨著歲末鐘聲的臨近,我們走過(guò)了充滿挑戰(zhàn)與機(jī)遇的2024年。
探秘GaN功率半導(dǎo)體封裝:未來(lái)趨勢(shì)一網(wǎng)打盡!
隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子、射頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。其中,氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體器件以其高電子遷移率、高擊穿電壓、低導(dǎo)通...
2025-01-02 標(biāo)簽:芯片封裝GaN功率半導(dǎo)體 448 0
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
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GS61008P-MR | 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價(jià)格
|
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