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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實現功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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LDMOS,全稱為Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor(側向雙擴散金屬氧化物半導體),是一...
MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應用電路圖及其特性概述
MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應用電路圖及其特性概述 MAX1385是一款高性能、低功耗的模擬放大器,可以用于各種應用,如汽車音頻、家庭影院...
高功率寬帶放大器的設計是一件非常有挑戰性的工作,工程師需要在多個相互對立的設計參數之間進行折中。對于一個放大器用戶來說,不論是初始投資還是以后的運行成本...
蜂窩放大器解決方案有許多不同的需求,例如不同的頻段和不同的功率水平。本研討會將討論恩智浦針對不同應用的不同射頻功率解決方案,包括PA的關健考慮點(從客戶...
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴散金屬氧化物半導體)是為900MHz蜂窩電...
2017-12-08 標簽:ldmos 6.7萬 0
針對LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設計, 提出了一種快速、有效的方法。采用多節并聯導納匹配法得出寬帶匹配電路的初始值后, 利用ADS軟件對匹配網絡的S...
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600 LDMOS L波段雷達功率晶體管數據表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標簽:晶體管LDMOS 84 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600雷達功率晶體管數據表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標簽:雷達LDMOS功率晶體管 116 0
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-28 標簽:晶體管射頻功率LDMOS 275 0
類別:IC datasheet pdf 2023-06-15 標簽:LDMOSMMIC 232 0
羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長市場壽命
羅徹斯特電子與Ampleon合作 支持授權解決方案 Ampleon創辦于2015年,前身是NXP的射頻功率業務部門,在射頻功率領域擁有50多年的領導地位...
LDMOS場效應管,即橫向擴散金屬氧化物半導體器件。隨著對擊穿電壓要求的提高,對LDMOS場效應管中場板要求也高。
來源:RF技術社區 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續增長,成為各家射頻公司爭奪的焦點。 在...
到2025年,整個GaN RF市場將從2019年的7.4億美元增長到超過20億美元
報告指出,自 20 年前首款商用產品問世以來,GaN 技術已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場中的重要競爭對手。憑借其在 4G LTE...
“現在正處于從LDMOS轉到氮化鎵的時間窗口,但只有三年。”能訊半導體總經理任勉表示,在氮化鎵領域耕耘十二年,能訊半導體迎來關鍵時間節點,抓住5G基站建...
Ampleon為HF、VHF和ISM應用提供LDMOS RF功率晶體管
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產品組合,采用眾所周知的非常穩固LDMOS技術。
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關注...
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