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標(biāo)簽 > N溝道
MOS管的的三個極,中間的電極為G極,兩根線相交的極就是S極。而單獨(dú)引線的就是D極,接著判斷N溝道,由S極指向D極的為N溝道,接著判斷P溝道,由D極指向S極為P溝道。
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TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機(jī)器人領(lǐng)域的首選器件
從工廠流水線到家庭服務(wù),人形機(jī)器人正掀起新一輪革命。但無論是奔跑跳躍的關(guān)節(jié)電機(jī),還是精準(zhǔn)避障的傳感器,背后都離不開最基礎(chǔ)的“隱形功臣...
高性能N溝道MOSFET是開關(guān)、放大和驅(qū)動領(lǐng)域的最優(yōu)選擇
N溝道MOSFET通過控制柵源電壓來控制源漏間電子通路的導(dǎo)通與截止。當(dāng)柵源電壓高于閾值電壓時(shí),柵極下方會形成N型導(dǎo)電溝道,源極電子在電場作用下流向漏極,...
功率MOSFET有二種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管,要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;...
N溝道增強(qiáng)型MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)
N溝道增強(qiáng)型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體...
N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管有什么區(qū)別
N溝道場效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應(yīng)管(P-Channel ...
2024-09-23 標(biāo)簽:場效應(yīng)管N溝道p溝道 3241 0
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的應(yīng)用有哪些
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)作為半導(dǎo)體器件...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管N溝道 1013 0
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)的工作原理是半...
2024-09-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管N溝道 2131 0
晶揚(yáng)電子2N7002KX N溝道MOSFET產(chǎn)品介紹
晶揚(yáng)電子作為國內(nèi)業(yè)內(nèi)著名的“電路與系統(tǒng)保護(hù)專家” ,生產(chǎn)的2N7002KX型N溝道MOSFET管,因其優(yōu)良的性能和廣泛...
功率MOSFET有兩種類型:N溝道和P溝道,在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中選擇N管還是P管,要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇,N溝道MOSFET選擇的型號多,成本低;...
LT9435SQ N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 52 0
LT9004ESS 20V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 33 0
LT8844SL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 40 0
LT8822SS共漏N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管N溝道 93 0
LT8820ESS帶ESD保護(hù)的共漏N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 40 0
LT8820EFH帶ESD保護(hù)的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-26 標(biāo)簽:ESDMOSFETN溝道 52 0
LT8818ESL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 33 0
LT8818EFXT 12V共漏雙通道N溝道MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 26 0
LT8816SL共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 32 0
LT8816SLB共漏雙通道N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-03-25 標(biāo)簽:MOSFETN溝道 74 0
納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011,PIN TO PIN AP20G02BDF
NX7011采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨(dú)立的MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低,可最大限度地降低損耗并減少...
新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產(chǎn)品
新潔能12-200V N-Channel Trench MOSFET系列產(chǎn)品覆蓋了12V至200V的電壓范圍,主要適用于中低壓場合,特別是在低壓領(lǐng)域具有...
FHP1906V高可靠性的N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化和高效率
? 在12V蓄電池輸入的車載高頻逆變器中,利用DC/DC推挽拓?fù)涞纳龎弘娐分饕蕾嘙OS管來實(shí)現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換。由此可知,在電路設(shè)計(jì)中如何給...
2024-11-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管N溝道 631 0
深入探索TK160F10N1L MOSFET:性能、優(yōu)勢及應(yīng)用
在當(dāng)今電子產(chǎn)品的發(fā)展中,功率半導(dǎo)體元件如MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
惠海HC005N03L 30V70A 70N03 N溝道MOS管 大電流 發(fā)熱小 投影儀方案
MOS管的工作原理是基于在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間形成的PN結(jié),通過改變柵極電壓來調(diào)整溝道內(nèi)載流子的數(shù)量,從而改變溝道電阻和源極與漏極之...
MT3287 N溝道場效應(yīng)管70V,80A,6.8mΩ。
MT3287 N溝道場效應(yīng)管是一款高性能的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和系統(tǒng)中。其獨(dú)特的70V耐壓、80A的電流承載能力以及6.8...
2024-07-04 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 917 0
惠海100V 15A HC070N10L TO-252封裝 N溝道MOS管 打火機(jī)/BMS電源板應(yīng)用
惠海100V 15A HC070N10L TO-252封裝 N溝道MOS管 打火機(jī)/BMS電源板應(yīng)用 MOS管的工作原理是基于在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之...
Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE用于PCR儀TEC控制
YC40N04BDE是優(yōu)晶推出的N溝道MOSFET,該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線...
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