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標(biāo)簽 > SiC模塊
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車(chē)規(guī)級(jí) | 功率半導(dǎo)體模塊封裝可靠性試驗(yàn)-熱阻測(cè)試
在因?yàn)楣β势骷嚓P(guān)原因所引起電子系統(tǒng)失效的原因中,有超過(guò)50%是因?yàn)闇囟冗^(guò)高導(dǎo)致的熱失效。結(jié)溫過(guò)高會(huì)導(dǎo)致電子系統(tǒng)性能降低、可靠性降低、壽命降低、引發(fā)器件...
一文詳解雜散電感對(duì)SiC和IGBT功率模塊開(kāi)關(guān)特性的影響
IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開(kāi)關(guān)特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)2024年踏入最后一個(gè)季度,回顧過(guò)去一年的功率半導(dǎo)體市場(chǎng),SiC依然是各大廠商最關(guān)注的領(lǐng)域。自2022年開(kāi)始,市場(chǎng)上搭載S...
安森美SiC模塊,為可靠高效的換電站快充電路設(shè)計(jì)提供新靈感
在電動(dòng)車(chē)發(fā)展的過(guò)程當(dāng)中,充電和換電是兩個(gè)同時(shí)存在的方案。車(chē)載充電OBC可以通過(guò)兩相或三相電給汽車(chē)充電,但其無(wú)法滿(mǎn)足快充的需求。現(xiàn)在充電樁發(fā)展迅速,已經(jīng)有...
2024-07-13 標(biāo)簽:安森美電路設(shè)計(jì)SiC模塊 532 0
SiC模塊MPRA1C65-S61進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)
今天和大家分享一下我在使用MPRA1C65-S61這款SiC模塊進(jìn)行開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)時(shí)的一些實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。這款模塊的反向重復(fù)峰值電壓為650V,連續(xù)正向電流為1...
2024-06-05 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源設(shè)備SiC模塊 358 0
蔚來(lái)汽車(chē)與芯聯(lián)集成SiC模塊合作項(xiàng)目C樣下線(xiàn),即將進(jìn)入量產(chǎn)階段
“蔚來(lái)&芯聯(lián)集成合作伙伴大會(huì)暨蔚來(lái)自研SiC模塊C樣下線(xiàn)儀式”在芯聯(lián)集成紹興總部舉行,標(biāo)志著該項(xiàng)目即將進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2024-04-12 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率晶體管SiC模塊 689 0
揚(yáng)杰科技董事長(zhǎng)梁勤當(dāng)選“2023揚(yáng)州年度新聞人物”
在春意盎然的三月,揚(yáng)州這座歷史與現(xiàn)代交融的城市再次迎來(lái)了一場(chǎng)特殊的慶典。3月26日,由揚(yáng)州市委宣傳部指導(dǎo)、揚(yáng)州市政府新聞辦公室、揚(yáng)州市文化廣電和旅游局、...
2024-03-27 標(biāo)簽:集成電路SiC模塊揚(yáng)杰科技 818 0
安森美推出了一款全新M3S 1200V EliteSiC功率集成模塊
作為提高效率和優(yōu)化熱管理的理想解決方案,SiC技術(shù)在應(yīng)用端需求的刺激下快速迭代。
2024-03-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)安森美充電樁 541 0
2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
近期,2家臺(tái)灣企業(yè)正在加速推進(jìn)其SiC模塊工廠的建設(shè)
2024-03-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率模塊 1127 0
揚(yáng)杰科技新能源車(chē)用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目完成簽約
近日,在江蘇省揚(yáng)州市邗江區(qū)維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)揚(yáng)杰科技)新能源車(chē)用IGBT、碳化硅(S...
揚(yáng)杰科技又新增5億元車(chē)用IGBT、SiC模塊封裝項(xiàng)目
近日,據(jù)邗江發(fā)布消息,在維揚(yáng)經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目新春集中簽約儀式上,揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司副董事長(zhǎng)梁瑤信心滿(mǎn)滿(mǎn)地告訴記者,“去年揚(yáng)杰電子實(shí)現(xiàn)開(kāi)...
2024-02-20 標(biāo)簽:IGBTSiC模塊揚(yáng)杰科技 1016 0
SiC驅(qū)動(dòng)模塊的應(yīng)用與發(fā)展
SiC驅(qū)動(dòng)器模塊具有較低的功耗、高溫運(yùn)行能力和快速開(kāi)關(guān)速度等優(yōu)勢(shì),使其在下一代功率器件中有著廣闊的應(yīng)用前景。SiC驅(qū)動(dòng)器模塊可以用于電動(dòng)車(chē)的電力系統(tǒng)、可...
2023-11-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器SiCSiC模塊 1003 0
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