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標簽 > SiGe
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SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用及GAA結構中的作用
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應變硅應用以及GAA結構中的作用。 ? 在現代半導體技術中,隨著器件尺寸的不斷縮小,傳統的硅基材料逐漸難以滿足高...
利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術...
來源:內容來自「馭勢資本」,謝謝。 半導體封裝基礎 半導體制造工藝流程 半導體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測試...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動揚聲器介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動系列揚聲器。 1 產品...
格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了針對一系列技術平臺而制訂的愿景和路線圖,這些技術平臺旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網絡。格芯為多種5G應用...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件L...
據IEEE報道,來自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統硅表面上成功制作了環柵式晶體管,未來經過技術改進有可...
格羅方德推出性能增強型130nm硅鍺射頻技術,以促進下一代無線網絡通信發展
格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優性能解決方...
型號 | 描述 | 數據手冊 | 參考價格 |
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SE7351L-T | SE7351L-T - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7351L-AK3 | SE7351L-AK3 - 3.3-3.8 GHz Front-End Transceiver - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7265L-R | SE7265L-R - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7265L-EK1 | SE7265L-EK1 - 2.3-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier Preliminary - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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SE7262L-EK1 | SE7262L-EK1 - 2.5-2.7 GHz WiMAX Power Amplifier - SiGe Semiconductor, Inc. |
獲取價格
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