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標簽 > TSV封裝

TSV封裝

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tsv封裝技術

基于兩步刻蝕工藝的錐形TSV制備方法研究

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以硅通孔(TSV)為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。

2024-02-25 標簽:晶圓信號傳輸電感耦合 1348 0

半導體后端工藝:晶圓級封裝工藝(上)

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晶圓級封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級封裝分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)和扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP),其特...

2023-10-18 標簽:半導體晶圓Chip 3174 0

淺析先進封裝的四大核心技術

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先進封裝技術以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發展重點。先進封裝核心技術包括Bumping凸點、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等,依托這些技術的...

2023-09-28 標簽:晶圓芯片設計SiP技術 3428 0

三星半導體宣布突破背面供電技術

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半導體技術的許多進步都取決于減小封裝尺寸,同時結合附加功能和更高效的供電方法。目前的供電方法會占用晶圓上的大量空間,導致成本增加、芯片尺寸增大和晶體管減少。

2023-08-16 標簽:處理器半導體技術晶體管 893 0

用于Chiplet 3D系統的硅光Interposer工藝架構介紹

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這篇文章簡要介紹CEA-Leti發布用于Chiplet 3D系統的硅光Interposer工藝架構,包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle...

2023-08-02 標簽:耦合器光刻機硅光子技術 6203 0

3D封裝結構與2.5D封裝有何不同?3D IC封裝主流產品介紹

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2.5D封裝和3D IC封裝都是新興的半導體封裝技術,它們都可以實現芯片間的高速、高密度互連,從而提高系統的性能和集成度。

2023-08-01 標簽:SoC芯片半導體封裝IC封裝 4055 0

淺析TSV硅轉接基板的可靠性評價方法

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硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅轉接基板技術作為先進封裝的一種工藝方式,是實現千級IO芯片高密度組裝的有效途徑,近年來在系統集成領域得...

2023-06-16 標簽:處理器存儲器硅晶圓 763 0

芯片三維互連技術及異質集成研究進展

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芯片是推動信息社會蓬勃發展的基石,掌握高端 芯片的制造技術關乎國家未來在人工智能、高性能計 算、5G/6G 通信和萬物互聯等關鍵領域的全球競爭力。

2023-05-30 標簽:傳感器PCB板MEMS器件 1260 0

先進封裝之TSV及TGV技術初探(二)

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另外一個將TGV填實的方案是將金屬導電膠進行TGV填實。利用金屬導電膠的優點是固化后導電通孔的熱膨脹系數可以調節,使其接近基材,避免了因CTE不匹配造成的失效。

2023-05-25 標簽:BGACMPMEMS器件 6463 0

詳解TSV(硅通孔技術)封裝技術

詳解TSV(硅通孔技術)封裝技術

硅通孔技術(Through Silicon Via, TSV)技術是一項高密度封裝技術,正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術,被認為是第四代封裝技...

2016-10-12 標簽:硅通孔技術TSV封裝 1.7萬 1

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華邦推出為邊緣AI帶來超高帶寬內存的CUBE架構

全球半導體存儲解決方案領導廠商華邦電子今日宣布推出一項強大的內存賦能技術,可助力客戶在主流應用場景中實現經濟實惠的邊緣 AI 計算。

2023-09-27 標簽:半導體電源完整性協作機器人 1824 0

三星發布容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產品

在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產128GB內存模組

2023-09-01 標簽:DRAM三星電子人工智能 981 0

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