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VDMOS

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vdmos技術(shù)

超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式

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在過去的二十年,MOSFET主要用作開關(guān)器件,得到了長足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對較小的開關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...

2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體VDMOS 341 0

VDMOS技術(shù)概述和特點(diǎn)

在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限,被稱為“硅極限”。為了突...

2024-10-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體VDMOS 515 0

VDMOS器件關(guān)鍵參數(shù)介紹

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如圖1所示,VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū),在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道,在柵極加壓后溝道開啟,電流在溝道內(nèi)...

2024-10-08 標(biāo)簽:二極管VDMOS柵極 719 0

vdmos是什么型器件

VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件,...

2024-09-29 標(biāo)簽:電流VDMOS半導(dǎo)體器件 759 0

vdmos和mos有什么區(qū)別

Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...

2024-09-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體VDMOS晶體管 931 0

金屬封裝功率器件管殼鍍金層腐蝕機(jī)理研究

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金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...

2024-06-20 標(biāo)簽:VDMOS封裝功率器件 1670 1

RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹

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IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。

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2017-11-29 標(biāo)簽:vdmoscoolmos 9370 0

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2011-12-20 標(biāo)簽:VDMOS 4985 0

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詳細(xì)論述了器件制造過程中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié),包括柵氧化、光刻套準(zhǔn)、多晶硅刻蝕、P 阱推進(jìn)等。流水所得VDMOS 實(shí)測結(jié)果表明,該器件反向擊穿特性良好

2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS 3359 0

優(yōu)化柵的VDMOS器件結(jié)構(gòu)及特性簡析

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2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS直流無刷電機(jī) 2537 0

LDMOS和VDMOS

LDMOS和VDMOS

DMOS主要有兩種類型,垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管VDMOSFET和橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管LDMOSFET。

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2010-01-11 標(biāo)簽:電容VDMOS 1565 0

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一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu) 0 引 言    VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高...

2009-11-25 標(biāo)簽:電容VDMOS 1142 0

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