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標(biāo)簽 > VDMOS
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超結(jié)結(jié)構(gòu)工藝實(shí)現(xiàn)方式
在過去的二十年,MOSFET主要用作開關(guān)器件,得到了長足的發(fā)展,由于它是多子器件,有相對較小的開關(guān)損耗,但其通態(tài)功耗較高,要降低通態(tài)功耗,導(dǎo)通電阻受擊穿...
在過去的二十年間,MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而,由于MOSFET的通態(tài)功耗較高,導(dǎo)通電阻受擊穿電壓限制而存在一個(gè)極限,被稱為“硅極限”。為了突...
如圖1所示,VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū),在硅表面P型區(qū)和N+型區(qū)之間形成溝道,在柵極加壓后溝道開啟,電流在溝道內(nèi)...
VDMOS(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor)是一種垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件,...
2024-09-29 標(biāo)簽:電流VDMOS半導(dǎo)體器件 759 0
Vdmos(垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)和MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)是兩種不同類型的半導(dǎo)體器件,它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、應(yīng)用等方面都有所區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)...
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身,因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
當(dāng)功率器件PN結(jié)的反向電壓增大到某一數(shù)值后,半導(dǎo)體內(nèi)載流子通過碰撞電離開始倍增,這一現(xiàn)象與宏觀世界中高山雪崩是很像的,所以我們稱之為雪崩擊穿。
Cool-MOS的定義、優(yōu)勢及實(shí)際應(yīng)用問題分析
對于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu), Rdson 與BV 這一對矛盾關(guān)系,要想提高BV,都是從減小EPI 參雜濃度著手,但是外延層又是正向電流流通的通道,EP...
類別:電力論文網(wǎng) 2017-11-01 標(biāo)簽:VDMOS 1071 0
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標(biāo)簽:VDMOS脈沖 766 0
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標(biāo)簽:VDMOS 4271 0
類別:模擬數(shù)字論文 2011-12-01 標(biāo)簽:VDMOS 4238 0
功率VDMOS電機(jī)可靠性試驗(yàn)及失效分析立即下載
類別:機(jī)電一體化技術(shù)論文 2011-07-22 標(biāo)簽:VDMOS電機(jī)失效分析 982 0
平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇?
平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇? 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS是常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFETs)...
2023-11-24 標(biāo)簽:VDMOS場效應(yīng)管 1458 0
本文分別從管芯的靜態(tài)參數(shù)設(shè)計(jì)方面,介紹了VMDOS(200 V)設(shè)計(jì)的方法以及仿真的結(jié)果,并對流片結(jié)果進(jìn)行了比較。
2011-12-20 標(biāo)簽:VDMOS 4985 0
詳細(xì)論述了器件制造過程中的關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié),包括柵氧化、光刻套準(zhǔn)、多晶硅刻蝕、P 阱推進(jìn)等。流水所得VDMOS 實(shí)測結(jié)果表明,該器件反向擊穿特性良好
2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS 3359 0
優(yōu)化柵的VDMOS器件結(jié)構(gòu)及特性簡析
目前市場上使用較多的主要是N溝道增強(qiáng)型VDMOS產(chǎn)品,其也是目前各半導(dǎo)體公司開發(fā)生產(chǎn)的主流功率MOSFET產(chǎn)品。
2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS 4716 0
直流無刷電機(jī)的逆變器由六個(gè)功率VDMOS管和六個(gè)續(xù)流二極管組成,六個(gè)續(xù)流二極管分別寄生在這六個(gè)VDMOS管里,因而從控制器外面看只有六個(gè)VDMOS管。
2011-12-02 標(biāo)簽:VDMOS直流無刷電機(jī) 2537 0
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu) 0 引 言 VDMOS與雙...
一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu) 0 引 言 VDMOS與雙極晶體管相比,它的開關(guān)速度快,開關(guān)損耗小,輸入電阻高...
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