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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
3管動態RAM的工作原理3管動態RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據總線。
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
3管動態RAM的工作原理3管動態RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數據線和寫數據線也是分開的。
寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。
讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”。可見,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據總線。
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