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標(biāo)簽 > dram
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))
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SK海力士如何以設(shè)計(jì)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)GDDR7速度新巔峰
挑戰(zhàn)傳統(tǒng),打破限制,勇攀高峰,打破常規(guī)者們?cè)趯で箝_(kāi)創(chuàng)性解決方案的過(guò)程中重塑規(guī)則。繼SK海力士品牌短片《誰(shuí)是打破常規(guī)者》播出后,將推出一系列文章,展示公司...
AI興起推動(dòng)HBM需求激增,DRAM市場(chǎng)面臨重塑
TechInsights的最新報(bào)告揭示了AI興起對(duì)高帶寬內(nèi)存(HBM)需求的巨大影響。特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中,HBM的需求呈現(xiàn)出前...
Kioxia發(fā)布OCTRAM技術(shù),開(kāi)啟低功耗DRAM新篇章
近日,在存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)域,Kioxia Corporation再次展現(xiàn)其創(chuàng)新實(shí)力,宣布成功開(kāi)發(fā)出OCTRAM(氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM)技術(shù)。這...
SK海力士被曝贏得博通 HBM 訂單,預(yù)計(jì)明年 1b DRAM 產(chǎn)能將擴(kuò)大到 16~17 萬(wàn)片
? ? 12 月 20 日消息,據(jù) TheElec 報(bào)道,韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭 SK 海力士贏得了一份向博通供應(yīng) HBM 芯片的大單,但具體額度未知。 ? ...
南亞科技與補(bǔ)丁科技攜手開(kāi)發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存
近日,臺(tái)灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布,已與專業(yè)DRAM設(shè)計(jì)公司補(bǔ)丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作,共同致力于定制超高帶寬內(nèi)存(Customized Ul...
近日,備受矚目的上海集成電路2024年度產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇暨第三十屆集成電路設(shè)計(jì)業(yè)展覽會(huì)(ICCAD-Expo 2024)在上海隆重舉行。來(lái)自全球的集成電路產(chǎn)...
來(lái)源: thelec 三星已經(jīng)開(kāi)始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱,這家韓國(guó)科技巨頭試圖將 LPDDR 的集成...
SK 海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén),任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官
據(jù) Businesses Korea 報(bào)道,SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2...
2024年第三季度全球DRAM市場(chǎng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)13.6%
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日發(fā)布了最新的研究報(bào)告,揭示了2024年第三季度全球DRAM市場(chǎng)的表現(xiàn)。盡管面臨多重挑戰(zhàn),該季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收仍實(shí)現(xiàn)...
華邦電子成功舉辦三場(chǎng)聯(lián)合技術(shù)論壇
上周,華邦電子在滬深兩地舉辦了三場(chǎng)聯(lián)合技術(shù)論壇,每場(chǎng)活動(dòng)座無(wú)虛席,技術(shù)工程師們齊聚一堂與講師共同探討從汽車電子、工業(yè)應(yīng)用到聯(lián)網(wǎng)通訊與計(jì)算機(jī),再到消費(fèi)電子...
HBM 對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)(TSV)和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔:TSV(Through-Silicon Via) 是...
三星平澤P4一期產(chǎn)線調(diào)整:將同時(shí)生產(chǎn)DRAM和NAND Flash
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子已決定調(diào)整其平澤園區(qū)P4產(chǎn)線第一期的產(chǎn)能分配,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的快速變化。這一決策標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重要調(diào)整。
北京君正預(yù)計(jì)年底推出21nm DRAM產(chǎn)品
近日,在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí),北京君正透露了其DRAM產(chǎn)品的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)公司介紹,目前各類DRAM產(chǎn)品,包括DDR2、DDR3、LPDDR4等,均有新品在研發(fā)...
預(yù)計(jì)2025年DRAM產(chǎn)業(yè)將年增25%
根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告,DRAM產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了2024年前三季度的庫(kù)存消化和價(jià)格回升后,其價(jià)格動(dòng)能在第四季度出現(xiàn)了明顯...
2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長(zhǎng)極但供應(yīng)緊張
經(jīng)歷2024年前三個(gè)季度的庫(kù)存消化和價(jià)格回升后,DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價(jià)格動(dòng)能開(kāi)始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...
三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片
全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片,旨在把握人工智能(AI)浪潮帶來(lái)的存儲(chǔ)設(shè)備市場(chǎng)快速增長(zhǎng)...
FormFactor發(fā)布2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高
FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示,F(xiàn)ormFactor在該季度的收入達(dá)到了...
2024-11-01 標(biāo)簽:DRAMFormFactorDDR5 529 0
隨著人工智能(AI)技術(shù)的廣泛應(yīng)用,從云服務(wù)器到消費(fèi)設(shè)備,AI需求正呈現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng)。美光科技,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商,已積極應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì)。
存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價(jià)格承壓
從需求端審視,通貨膨脹的壓力以及AI個(gè)人電腦應(yīng)用場(chǎng)景的匱乏,共同制約了大規(guī)模升級(jí)周期的到來(lái)。在供應(yīng)端,主要制造商在第三季度全面恢復(fù)了滿負(fù)荷生產(chǎn),而其他供...
三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路
近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星電子向英偉...
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