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標(biāo)簽 > EPC2001

EPC2001

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  EPC2001 FET是一種100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,柵極電壓為5V。

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EPC2001簡(jiǎn)介

  EPC2001 FET是一種100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,柵極電壓為5V。EPC2015是一種40 VDS器件,RDS(ON) 最大值是4mΩ。與同樣先進(jìn)的硅基功率MOSFET相比,這兩種eGaN FET都具有更卓越的性能優(yōu)勢(shì)。兩種器件都具有低導(dǎo)通電阻,體積比相同電阻的硅器件更小,并且具有卓越許多倍的開關(guān)性能。

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epc2001資訊

宜普電源推出EPC2001和EPC2015增強(qiáng)型氮化鎵FET

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出EPC2001和EPC2015兩種無(wú)鉛且符合RoHS(有害物質(zhì)限制條例)要求的增強(qiáng)型氮化鎵 (eGaN) FET

2011-03-18 標(biāo)簽:FET氮化鎵宜普 2386 0

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