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標簽 > everspin
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Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構建未來的云存儲
Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首先STT-MRAM作為異常掉電數據緩存...
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
Everspin MRAM內存技術是如何工作的? Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
Everspin并行輸入/輸出MRAM產品的簡單異步靜態隨機存取存儲器標準JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設計易于實現,無需額外的組件或生態系統支...
太空應用中多功能性工業級Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發的Toggle MRAM在太空應用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚,并基于Everspi...
Everspin擁有包括40nm,28nm及更高技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內和垂直MTJ ST-MRAM生產。E...
MR25HxxxDF的2.0mm裸露底墊新封裝已獲Everspin批準生產
everspin在此生產基于180nm,130nm和90nm工藝技術節點的MRAM產品。產品包裝和測試業務遍及中國,臺灣和其他亞洲國家。在平面內和垂直磁...
2020-04-15 標簽:everspin 3549 0
Everspin MR2A16Axxx35可替換賽普拉斯CY14B104NA-BA
用Everspin的MR2A16Axxx35 MRAM替換賽普拉斯CY14B104NA-BA/ZS45XI nvSRAM 用MRAM替換nvSRAM的一...
Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF
Everspin在磁存儲器設計,MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。擁有超過600多項有效專利和申...
在新型 RAM 技術中,MRAM對物聯網和邊緣計算設備具有特別有吸引力。因為它能實現比目前這類硬件上的首選存儲類內存 -NAND閃存-低得多的功耗,同時...
Everspin在磁存儲器設計,制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產...
MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎,MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結與其隔離的自由...
Everspin是專業研發生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商,在包括40nm,28nm及更高的技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙...
ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術,因為它是一種高性能存儲器(可以挑戰DRAM和SRAM),可擴展至10nm以下,并挑戰了閃存的低成本。STT代表旋...
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進,對其工廠進行微調優化。能迅速積累并將這些經驗傳授給Glo...
GlobalFoundries、Everspin聯合宣布,雙方已經達成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-M...
2020-03-16 標簽:內存everspinGlobalFoundries 2525 0
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