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FinFET全稱叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
閘長已可小于25納米,未來預期可以進一步縮小至9納米,約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于在這種導體技術上的突破,未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統標準的晶體管—場效應晶體管 (Field-Effect Transistor;FET)的一項創新設計。在傳統晶體管結構中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開,屬于平面的架構。在FinFET的架構中,閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構,可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。[2] 這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短晶體管的閘長。
FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor,中文名叫鰭式場效應晶體管,是一種新的互補式金氧半導體晶體管。FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
閘長已可小于25納米,未來預期可以進一步縮小至9納米,約是人類頭發寬度的1萬分之1。由于在這種導體技術上的突破,未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。 FinFET源自于傳統標準的晶體管—場效應晶體管 (Field-Effect Transistor;FET)的一項創新設計。在傳統晶體管結構中,控制電流通過的閘門,只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開,屬于平面的架構。在FinFET的架構中,閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構,可于電路的兩側控制電路的接通與斷開。[2] 這種設計可以大幅改善電路控制并減少漏電流(leakage),也可以大幅縮短晶體管的閘長。
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