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gan資訊

投資金額達(dá)6000萬(wàn)元!又新增2個(gè)GaN射頻項(xiàng)目

近日,國(guó)內(nèi)有2個(gè)氮化鎵項(xiàng)目公布新進(jìn)展,合計(jì)投資金額達(dá)6000萬(wàn)元。

2024-01-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝氮化鎵GaN 1683 0

瑞薩豪擲3.39億美元收購(gòu)Transphorm,押寶GaN技術(shù)

在科技領(lǐng)域的巨浪中,瑞薩電子以35%的溢價(jià)宣告了一項(xiàng)重磅收購(gòu)。1月11日,瑞薩電子正式宣布與氮化鎵(GaN)器件領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm達(dá)成最終協(xié)議,...

2024-01-12 標(biāo)簽:瑞薩GaNTransphorm 825 0

瑞薩宣布收購(gòu)Transphorm,大舉進(jìn)軍GaN

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 瑞薩 電子與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”)于今天宣布雙方...

2024-01-12 標(biāo)簽:瑞薩GaNTransphorm 744 0

三安與朗明納斯達(dá)成美洲獨(dú)家銷(xiāo)售協(xié)議,加速寬禁帶半導(dǎo)體市場(chǎng)拓展

據(jù)了解,三安半導(dǎo)體與朗明納斯均為三安光電集團(tuán)的子公司,2013年,三安光電收購(gòu)了朗明納斯100%股權(quán)。

2024-01-12 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 596 0

瑞薩電子斥資5.10美元收購(gòu)Transphorm,進(jìn)軍電動(dòng)汽車(chē)、計(jì)算等領(lǐng)域

據(jù)披露,此筆交易旨在賦予瑞薩電自有的GaN技術(shù),將業(yè)務(wù)版圖拓展至如電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和工業(yè)電力轉(zhuǎn)換等高速發(fā)展的領(lǐng)域。

2024-01-12 標(biāo)簽:人工智能GaN瑞薩電子 535 0

瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.(以下“Tran...

2024-01-11 標(biāo)簽:晶圓氮化鎵GaN 1204 0

超24億!這家GaN企業(yè)被收購(gòu)

超24億!這家GaN企業(yè)被收購(gòu)

根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股,較Transphorm在2024年1月10日的收盤(pán)價(jià)溢價(jià)約35%...

2024-01-11 標(biāo)簽:GaN瑞薩電子功率半導(dǎo)體 962 0

GaN和SiC在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有哪些差異

GaN和SiC在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域有哪些差異

采用氮化鎵的 LED 照明已經(jīng)大幅減少了全球的用電量,預(yù)計(jì)十年后節(jié)省的電量可能高達(dá) 46%。但在電力消耗方面,另一種電子技術(shù)可能在減少全球碳排放的關(guān)鍵驅(qū)...

2024-01-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管SiC 719 0

GaN同質(zhì)外延中的雪崩特性研究

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當(dāng)前,人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。

2024-01-11 標(biāo)簽:雪崩擊穿氮化鎵GaN 1151 0

應(yīng)用在LCD顯示器電源插頭里的氮化鎵(GaN)MTC-65W1C

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LCD(Liquid Crystal Display)顯示器是利用液晶顯示技術(shù)來(lái)進(jìn)行圖像表現(xiàn)的顯示裝置,從液晶顯示器的結(jié)構(gòu)來(lái)看,無(wú)論是筆記本電腦還是桌面...

2024-01-11 標(biāo)簽:lcd氮化鎵GaN 507 0

Porotech與富士康簽訂微顯示器合作協(xié)議!

Porotech是英國(guó)劍橋大學(xué)的子公司,正在開(kāi)發(fā)基于氮化鎵(GaN)的microLED技術(shù),用于AR微顯示器。

2024-01-10 標(biāo)簽:氮化鎵GaN可穿戴設(shè)備 693 0

2024廣州國(guó)際新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì)5月與您相約廣州保利世貿(mào)博覽

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AUTO TECH 2024 廣州國(guó)際新能源汽車(chē)功率半導(dǎo)體技術(shù)展覽會(huì),將于2024年5月15日-17日在廣州保利世貿(mào)博覽館盛大召開(kāi)

2024-01-10 標(biāo)簽:新能源功率器件SiC 510 0

Power Integrations榮獲“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”

Power Integrations,憑借其全球領(lǐng)先的功率器件技術(shù)和卓越的市場(chǎng)表現(xiàn),榮獲了“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)Power Int...

2024-01-08 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 1845 0

Power Integrations榮獲兩項(xiàng)2023年電源行業(yè)配套品牌評(píng)選大獎(jiǎng)

由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第二屆年度電源行業(yè)配套品牌評(píng)選活動(dòng)已經(jīng)落下帷幕,經(jīng)過(guò)激烈的競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格的評(píng)審過(guò)程,所有獎(jiǎng)項(xiàng)的評(píng)選工作現(xiàn)已完成。

2024-01-08 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 578 0

一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案

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金剛石材料具有自然界物質(zhì)中最高的熱導(dǎo)率(高達(dá)2000 W/m·K),在大功率激光器、微波器件和集成電路等小型化高功率領(lǐng)域的散熱均有重要的應(yīng)用潛力。

2024-01-04 標(biāo)簽:激光器SiCGaN 1571 0

單相雙向 AC-DC 轉(zhuǎn)換器介紹

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前言由于電力電子、數(shù)字控制及電池技術(shù)的進(jìn)步,促使再生能源、儲(chǔ)能系統(tǒng)及新能源應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。例如:電動(dòng)汽車(chē)的電能系統(tǒng)、對(duì)電力系統(tǒng)用電進(jìn)行削峰填谷和調(diào)...

2024-01-03 標(biāo)簽:PFC安森美半導(dǎo)體SiC 1043 0

聚能創(chuàng)芯完成1.7億元A輪融資

近日,青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聚能創(chuàng)芯”)完成了一項(xiàng)重大里程碑,成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...

2024-01-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵GaN 914 0

基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

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2024-01-02 標(biāo)簽:晶圓GaNLED發(fā)光 1183 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

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2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單...

2023-12-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 1408 0

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

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氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)

2023-12-28 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵GaN 810 0

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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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    5G毫米波
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    藍(lán)牙4.2
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