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基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

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硅基光電集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低時(shí)延的優(yōu)勢(shì);無(wú)需過(guò)分追求工藝尺寸的縮小。硅光產(chǎn)業(yè)今年市場(chǎng)規(guī)模將突破28億美元,未來(lái)可達(dá)數(shù)百億美元。

2024-01-02 標(biāo)簽:晶圓GaNLED發(fā)光 1208 0

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法成功制備出直徑6英寸的β型氧化鎵(β-Ga2O3)單...

2023-12-29 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 1460 0

GaN濺射技術(shù)進(jìn)展

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氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢(shì)

2023-12-28 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵GaN 826 0

基于外延層殘余應(yīng)變調(diào)控的InGaN基紅光LED器件

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III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。

2023-12-28 標(biāo)簽:OLED發(fā)光二極管LED器件 1200 0

Transphorm:氮化鎵應(yīng)用進(jìn)一步擴(kuò)展,2024年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)將回暖

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正值歲末年初之際,回顧過(guò)去的2023年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期,各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤(pán)2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況,能夠發(fā)現(xiàn)哪些細(xì)分...

2023-12-27 標(biāo)簽:氮化鎵GaN 838 0

華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”

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近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕,數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...

2023-12-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiCGaN 629 0

低成本垂直GaN功率器件研究

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。

2023-12-27 標(biāo)簽:功率器件GaN電流電壓 1081 0

CGD徐維利:生成式AI需求驟升,第三代半導(dǎo)體成關(guān)鍵

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又到歲末年初時(shí),電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專(zhuān)題,收到了數(shù)十位國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FA...

2023-12-26 標(biāo)簽:GaNCGD第三代半導(dǎo)體 2.4萬(wàn) 0

如何利用單根GaN納米柱實(shí)現(xiàn)低功耗的微型人工突觸器件呢?

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近年來(lái),人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理的速度和效率有更高的要求,而傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)由于存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)構(gòu)的分離,其在處理數(shù)據(jù)密集型任務(wù)和人工智能任務(wù)時(shí)面臨著...

2023-12-26 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)物聯(lián)網(wǎng)人工智能 709 0

必易微亮相亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇

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12 月 23 日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳正式召開(kāi),本次活動(dòng)涉及小功率、高功率、消費(fèi)類(lèi)電子、汽車(chē)、工業(yè)、5G、光伏儲(chǔ)能...

2023-12-25 標(biāo)簽:功率開(kāi)關(guān)AC-DCGaN 981 0

增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用

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熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。

2023-12-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管SiC 1358 0

用于電動(dòng)汽車(chē)的液冷GaN和SiC功率模塊

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電源模塊的高級(jí)封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。

2023-12-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)電源模塊SiC 1242 0

針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...

2023-12-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 849 0

在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

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氮化鎵(GaN)晶體管在工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需開(kāi)發(fā)有效的散熱方法。

2023-12-22 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 1215 0

柵極驅(qū)動(dòng)DC/DC系列產(chǎn)品擴(kuò)展

非對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在,借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、S...

2023-12-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNdcdc轉(zhuǎn)換器 618 0

全球大廠帶節(jié)奏,日本功率半導(dǎo)體市場(chǎng)承受壓力

近日,日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝,聯(lián)合發(fā)布聲明,計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。

2023-12-21 標(biāo)簽:SiCGaN存儲(chǔ)芯片 334 0

具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究

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GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。

2023-12-19 標(biāo)簽:led半導(dǎo)體晶體管 804 0

韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法

外媒消息,韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法,通過(guò)該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)出了LED微型陣列,并...

2023-12-18 標(biāo)簽:ledLED技術(shù)LED芯片 986 0

Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選?

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氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。

2023-12-15 標(biāo)簽:氮化鎵GaN砷化鎵 772 0

使用GaN HEMT設(shè)備最大化OBCs的功率密度

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隨著電動(dòng)汽車(chē)(EVs)的銷(xiāo)售量增長(zhǎng),整車(chē)OBC(車(chē)載充電器)的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車(chē)輛續(xù)航里程。因此...

2023-12-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)GaNHEMT 1091 0

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    5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù),相對(duì)4G而言,網(wǎng)速更快;5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī),5G手機(jī)有更快的傳輸速度,低時(shí)延,通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù),擁有更精準(zhǔn)的定位。
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    藍(lán)牙4.2
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專(zhuān)題

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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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