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硅基光電集成(硅光子)具有超高速、低功耗、低時(shí)延的優(yōu)勢(shì);無(wú)需過(guò)分追求工藝尺寸的縮小。硅光產(chǎn)業(yè)今年市場(chǎng)規(guī)模將突破28億美元,未來(lái)可達(dá)數(shù)百億美元。
Transphorm:氮化鎵應(yīng)用進(jìn)一步擴(kuò)展,2024年下半年半導(dǎo)體市場(chǎng)將回暖
正值歲末年初之際,回顧過(guò)去的2023年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期,各大應(yīng)用領(lǐng)域的市場(chǎng)表現(xiàn)并不理想。那么復(fù)盤(pán)2023年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況,能夠發(fā)現(xiàn)哪些細(xì)分...
華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”
近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕,數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
CGD徐維利:生成式AI需求驟升,第三代半導(dǎo)體成關(guān)鍵
又到歲末年初時(shí),電子發(fā)燒友網(wǎng)策劃《2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專(zhuān)題,收到了數(shù)十位國(guó)內(nèi)外創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。此次電子發(fā)燒友網(wǎng)特別采訪了CGD亞太區(qū)FA...
2023-12-26 標(biāo)簽:GaNCGD第三代半導(dǎo)體 2.4萬(wàn) 0
如何利用單根GaN納米柱實(shí)現(xiàn)低功耗的微型人工突觸器件呢?
近年來(lái),人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)對(duì)數(shù)據(jù)處理的速度和效率有更高的要求,而傳統(tǒng)計(jì)算系統(tǒng)由于存儲(chǔ)和計(jì)算結(jié)構(gòu)的分離,其在處理數(shù)據(jù)密集型任務(wù)和人工智能任務(wù)時(shí)面臨著...
2023-12-26 標(biāo)簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)物聯(lián)網(wǎng)人工智能 709 0
12 月 23 日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的第十四屆“亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳正式召開(kāi),本次活動(dòng)涉及小功率、高功率、消費(fèi)類(lèi)電子、汽車(chē)、工業(yè)、5G、光伏儲(chǔ)能...
2023-12-25 標(biāo)簽:功率開(kāi)關(guān)AC-DCGaN 981 0
增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用
熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
用于電動(dòng)汽車(chē)的液冷GaN和SiC功率模塊
電源模塊的高級(jí)封裝是非常重要。包裝優(yōu)化是提高性能的解決方案之一。
2023-12-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)電源模塊SiC 1242 0
針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開(kāi)創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管FET氮化鎵 849 0
柵極驅(qū)動(dòng)DC/DC系列產(chǎn)品擴(kuò)展
非對(duì)稱(chēng)穩(wěn)壓輸出適合 IGBT、Si、SiC 和 GaN 共源共柵柵極驅(qū)動(dòng) - 現(xiàn)在,借助新型 R24C2T25 DC/DC 轉(zhuǎn)換器為 IGBT、Si、S...
2023-12-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNdcdc轉(zhuǎn)換器 618 0
全球大廠帶節(jié)奏,日本功率半導(dǎo)體市場(chǎng)承受壓力
近日,日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝,聯(lián)合發(fā)布聲明,計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。
具復(fù)合柵極和階梯結(jié)構(gòu)的新型GaN垂直晶體管研究
GaN因其特性,作為高性能功率半導(dǎo)體 材料而備受關(guān)注,近年來(lái)其開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。
韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法
外媒消息,韓國(guó)首爾國(guó)立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一種在石墨烯層上生長(zhǎng)柔性GaN LED陣列的方法,通過(guò)該技術(shù)研究團(tuán)隊(duì)生長(zhǎng)出了LED微型陣列,并...
2023-12-18 標(biāo)簽:ledLED技術(shù)LED芯片 986 0
Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選?
氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電和其他應(yīng)用。
隨著電動(dòng)汽車(chē)(EVs)的銷(xiāo)售量增長(zhǎng),整車(chē)OBC(車(chē)載充電器)的性能要求日益提高。原始設(shè)備制造商正在尋求最小化這些組件的尺寸和重量以提高車(chē)輛續(xù)航里程。因此...
2023-12-17 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)GaNHEMT 1091 0
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